集成磁阻设备的方法技术

本公开涉及一种制造具有磁阻设备(210)的集成电路设备(100)的方法。在一些方面，该方法包括在基板(260)的第一触点(250)上形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括由中间区域隔开的固定磁性区域和自由磁性区域；在磁阻设备上方沉积第一介电材料(220)；在第一介电材料上方沉积第二介电材料(240)；抛光第二介电材料的表面；形成通过第二介电材料的被抛光表面的第一腔体，以暴露磁阻设备的表面；以及在第一腔体中沉积导电材料以形成通孔(230)。

Method of integrating magnetoresistive devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成磁阻设备的方法对相关申请的交叉引用本申请要求于2017年4月21日提交的美国临时申请No.62/488,233的优先权权益，该临时申请通过引用整体并入本文。
本公开总体上涉及磁阻设备，并且更具体地涉及磁阻设备在集成电路(TC)上的集成。
技术介绍
磁阻设备(诸如磁传感器、磁换能器和磁存储器单元)包括磁性材料，其中可以改变那些材料的磁矩以提供感测信息或数据的存储。磁阻设备、自旋电子设备和自旋设备是利用主要由电子自旋引起的效应的设备的同义术语。磁阻存储器设备用在许多信息设备中，以提供非易失性、可靠、抗辐射和高密度的数据存储和检索。许多磁阻设备可以包括但不限于磁阻随机存取存储器(MRAM)、磁传感器以及用于盘驱动器的读/写头。制造磁阻设备包括一系列处理步骤，其中沉积多层材料并对其进行构图以形成磁阻堆叠和用于提供到磁阻堆叠的电连接的电极(或其它电连接器)。磁阻堆叠包括构成磁阻设备的“自由”和“固定”部分的各种区域或层以及分离这些“自由”和“固定”部分的一个或多个中间区域(例如，介电层)，并且在一些情况下为设备提供至少一个隧道本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造具有磁阻设备的集成电路设备的方法，包括：/n在基板的第一触点上形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括固定磁性区域和由中间区隔开的自由磁性区域；/n在磁阻设备上方沉积第一介电材料；/n在第一介电材料上方沉积第二介电材料；/n抛光第二介电材料的表面；/n形成通过第二介电材料的被抛光表面的第一腔体，以暴露磁阻设备的表面；以及/n在第一腔体中沉积导电材料以形成通孔。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170421 US 62/488,2331.一种制造具有磁阻设备的集成电路设备的方法，包括：
在基板的第一触点上形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括固定磁性区域和由中间区隔开的自由磁性区域；
在磁阻设备上方沉积第一介电材料；
在第一介电材料上方沉积第二介电材料；
抛光第二介电材料的表面；
形成通过第二介电材料的被抛光表面的第一腔体，以暴露磁阻设备的表面；以及
在第一腔体中沉积导电材料以形成通孔。


2.根据权利要求1所述的方法，其中第二介电材料的介电常数高于第一介电材料的介电常数。


3.根据权利要求1所述的方法，其中第一介电材料是低k或超低k介电材料，并且第二介电材料是常规的介电材料。


4.根据权利要求1所述的方法，其中在暴露第一介电材料之前停止抛光。


5.根据权利要求1所述的方法，其中在暴露第一介电材料时停止抛光。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在抛光第二介电材料的表面之后，抛光在磁阻设备上方的第一介电材料的一部分。


7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在形成通孔之后沉积第三介电材料；
抛光第三介电材料的表面；
形成通过第三介电材料的被抛光表面的第二腔体，以暴露通孔的表面；以及
在第二腔体中沉积第二导电材料。


8.根据权利要求7所述的方法，其中第三介电材料的介电常数低于第二介电材料的介电常数。


9.根据权利要求7所述的方法，其中第三介电材料是低k或超低k介电材料。


10.根据权利要求7所述的方法，其中第二介电材料的介电常数高...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·A·德施潘得，S·阿加瓦尔，M·霍森，
申请(专利权)人：艾沃思宾技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US