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本公开涉及一种制造具有磁阻设备(210)的集成电路设备(100)的方法。在一些方面，该方法包括在基板(260)的第一触点(250)上形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括由中间区域隔开的固定磁性区域和自由磁性区域；在磁阻设备上方沉积第一介电材料(...
该专利属于艾沃思宾技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾沃思宾技术公司授权不得商用。

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