【技术实现步骤摘要】
一种低能耗、高可靠的生物忆阻器的制备方法
本专利技术涉及一种用于制作存储器的忆阻器的制备方法。
技术介绍
存储器是21世纪不可或缺的电子元件,它作为人类社会巨大的信息池,对整个世界的发展起到了重要的作用。随着经济社会的快速发展和人工智能的大发展,对更高性能的存储器的开发利用已经越来越迫切。截止2017年NANDflash和DRAM的市场份额已经提升了10%,其价值已经达到了853亿美元,其在未来的需求是非常巨大。但是,现有以NANDflash和DRAM为主的半导体存储器,其使用寿命短,难以被降解,在浪费资源的同时,给环境带来了很大的负担。因此,亟待开发具有环境友好,性能稳定,低功耗和尺寸微小的存储器。研究表明,将存储器的存储单元中间的无机材料绝缘层,改为生物有机材料介电层,制作出具有忆阻效应的忆阻器,再以忆阻器为存储单元加外围电路,即可制作成忆阻型存储器。由于生物有机材料,易于获取,成本低,能被生物降解,使得忆阻型存储器减对环境的污染小,其前景诱人。总之,由生物忆阻器为基础制成的忆阻型存储器是代替传统存储器的 ...
【技术保护点】
1.一种低能耗、高可靠的生物忆阻器的制备方法,包括以下步骤:/nA、将藕块超声清洗后,用粉碎机打碎成粉,并用1000到1600目滤网过滤,获得细藕粉;/nB、将0.02-0.05mm厚的紫铜片进行超声清洗、干燥后备用;/nC、将1-2份质量的聚偏氟乙烯(PVDF)的高氯酸钠溶液与7-10份质量的细藕粉搅拌混合,制得藕材料胶体;其中聚偏氟乙烯(PVDF)的高氯酸钠溶液的质量浓度为25%-50%;/nD、将步骤C得到的藕材料胶体,以每分钟2000-5000转的转速旋涂在步骤B的紫铜片上;即在紫铜片上形成藕介电层;/nE、将步骤D的紫铜片自然干燥,然后在藕介电层表面真空沉积一层银 ...
【技术特征摘要】
1.一种低能耗、高可靠的生物忆阻器的制备方法,包括以下步骤:
A、将藕块超声清洗后,用粉碎机打碎成粉,并用1000到1600目滤网过滤,获得细藕粉;
B、将0.02-0.05mm厚的紫铜片进行超声清洗、干燥后备用;
C、将1-2份质量的聚偏氟乙烯(PVDF)的高氯酸钠溶液与7-10份质量的细藕粉搅拌混合,制...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵勇,李腾腾,雷鸣,孙柏,许艳君,赵乙椤,
申请(专利权)人:西南交通大学,
类型:发明
国别省市:四川;51
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