电容单元、集成电容和谐振单元制造技术

本申请实施例提供一种电容单元、集成电容和谐振单元，所述电容单元包括导电腔(100)，所述导电腔(100)设有上下相通的容纳空间(101)；导电芯(200)，所述导电芯(200)的第一部分(210)和所述导电芯(200)的第二部分(220)通过过孔相连，所述导电芯(200)的第一部分(210)位于所述导电腔(100)的上方或下方，所述导电芯(200)的第二部分(220)位于所述导电腔(100)的容纳空间(101)中；所述导电腔(100)和所述导电芯(200)通过氧化层或绝缘层隔离。本申请实施例能够减小外界对电容单元的影响，从而能够提高电容单元的稳定性。

Capacitor unit, integrated capacitor and resonance unit

【技术实现步骤摘要】
电容单元、集成电容和谐振单元
本申请涉及电路器件领域，尤其涉及一种电容单元、集成电容和谐振单元。
技术介绍
电容是电路器件中的重要原件。硅基集成工艺标准设计(ProcessDesignKit，PDK)电容包括金属-氧化物-金属(MetalOxideMetal，MOM)集成电容和金属-绝缘层-金属(MetaInsulationMetal，MIM)集成电容。现有电容包括多层金属层，每层金属层包括多个金属条，各层相邻的金属条之间形成横向结构的水平电容，上下相邻两个的层之间的金属条形成纵向结构的垂直电容，每一层的金属条结构一样。现有电容将多个金属条横向以及纵向均匀排列，金属条之间会相互耦合产生寄生效应，导致电容稳定性差。
技术实现思路
本申请实施例提供一种电容单元、集成电容和谐振单元，该电容单元具有自屏蔽结构，能够降低寄生效应，以使该电容单元具有较高的稳定性。第一方面，提供一种电容单元，所述电容单元包括：导电腔，所述导电腔设有上下相通的容纳空间；导电芯，所述导电芯的第一部分和所述导电芯的第二部分通过过孔相连，所述导电芯的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于集成电容的电容单元，所述电容单元包括：/n导电腔(100)，所述导电腔(100)设有上下相通的容纳空间(101)；/n导电芯(200)，所述导电芯(200)的第一部分(210)和所述导电芯(200)的第二部分(220)通过过孔相连，所述导电芯(200)的第一部分(210)位于所述导电腔(100)的上方或下方，所述导电芯(200)的第二部分(220)位于所述导电腔(100)的容纳空间(101)中；/n所述导电腔(100)和所述导电芯(200)通过氧化层或绝缘层隔离。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于集成电容的电容单元，所述电容单元包括：
导电腔(100)，所述导电腔(100)设有上下相通的容纳空间(101)；
导电芯(200)，所述导电芯(200)的第一部分(210)和所述导电芯(200)的第二部分(220)通过过孔相连，所述导电芯(200)的第一部分(210)位于所述导电腔(100)的上方或下方，所述导电芯(200)的第二部分(220)位于所述导电腔(100)的容纳空间(101)中；
所述导电腔(100)和所述导电芯(200)通过氧化层或绝缘层隔离。


2.根据权利要求1所述的电容单元，其特征在于，所述导电腔(100)包括沿竖直方向延伸的多个第一导电件(110)，所述多个第一导电件(110)中相邻两个第一导电件(110)通过过孔相连，所述多个第一导电件(110)中的每个第一导电件(110)设有上下相通的子容纳空间，所述导电腔(100)的容纳空间(101)包括所述多个第一导电件(110)的多个子容纳空间；
所述导电芯(200)的第二部分(220)包括与所述多个第一导电件(110)一一对应的多个第二导电件(221)，所述多个第二导电件(221)中相邻两个第二导电件(221)通过过孔相连，每个第二导电件(221)位于对应的第一导电件(110)的子容纳空间中。


3.根据权利要求2所述的电容单元，其特征在于，每个第一导电件(110)的上表面和对应的第二导电件(221)的上表面位于同一平面。


4.根据权利要求2所述的电容单元，其特征在于，每个第一导电件(110)的下表面和对应的第二导电件(221)的下表面位于同一平面。


5.根据权利要求2所述的电容单元，其特征在于，每个第一导电件(110)的横截面呈四边框形结构且对应的第二导电件(221)的横截面呈四边形结构；或
每个第一导电件(110)的横截面呈圆环形结构且对应的第二导电件(221)的横截面呈圆形结构。...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗讯，钱慧珍，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44