并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器技术

本发明专利技术提供了一种并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器，所述并联PPS电容器的制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层；利用第一光罩形成第一沟槽和第二沟槽；形成隔离层；利用第二光罩形成第一插塞、第二插塞及第三插塞，本发明专利技术在不额外增加光刻、刻蚀等多道工艺步骤的情况下，新增加一由所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成的第一PPS电容器，极大效率地利用了已有的所述第一多晶硅层、第一介质层，使得器件的总电容值有了显著的提高。

Manufacturing method of parallel PPS capacitor and parallel PPS capacitor

【技术实现步骤摘要】
并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器。
技术介绍
PPS(polypropylenefilm，聚丙烯薄膜)电容器是一种广泛应用于频率调制和防止模拟电路发射噪声的器件，其具有由多晶硅(通常是制作半导体器件中的逻辑电路的栅极电极的材料)形成的下部电极和上部电极。但是目前在半导体器件中，PPS电容器通常存在电容值较小的问题，从而导致集成电路的滤波效果差的缺陷。目前为了提高PPS电容器的电容值，通常的做法是使用新的光罩以在逻辑区的一PPS电容器上形成新的插塞，从而形成与其并联的另一PPS电容器，但是这样会额外增加光刻、刻蚀等多道工艺步骤，这势必增加了工艺时长，降低了工作效率，同时也不符合尺寸较小的半导体器件的要求，所以急需一种新的PPS电容器的制作方法，以在尽量不增加额外的工艺步骤的情况下来解决PPS电容器的电容值较小的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器，以解决在不增加额外的工艺步骤的情况下增大PPS电容器的电容值的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种并联PPS电容器的制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底上依次形成有第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层；利用第一光罩对所述第三多晶硅层和所述第二介质层执行刻蚀工艺以形成第一沟槽，以及对所述第三多晶硅层、所述第二介质层、所述第二多晶硅层和所述第一介质层执行刻蚀工艺以形成第二沟槽；形成隔离层，所述隔离层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽以及覆盖所述第三多晶硅层；利用第二光罩对所述隔离层执行刻蚀工艺以形成第一插塞、第二插塞及第三插塞，所述第一插塞贯穿所述隔离层并与所述第一多晶硅层电连接；所述第二插塞贯穿所述隔离层并与所述第二多晶硅层电连接；所述第三插塞贯穿所述隔离层并与所述第三多晶硅层电连接；其中，在不增加额外的光罩的情况下，依次堆叠的所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成第一PPS电容器；依次堆叠的所述第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层构成第二PPS电容器，所述第一PPS电容器和所述第二PPS电容器构成并联PPS电容器。可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，在形成第一插塞、第二插塞及第三插塞之后，所述并联PPS电容器的制作方法还包括：形成互连层，所述互连层形成于所述隔离层上，所述第一插塞、所述第二插塞和所述第三插塞分别与所述互连层电连接，且所述第一插塞、所述第二插塞和所述第三插塞相互绝缘。可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，所述第一介质层的材质为氧化硅。可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，通过化学气相沉积工艺形成所述第一介质层。可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，所述第二介质层的材质为氧化硅。可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，通过高温氧化工艺形成所述第二介质层。可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，所述隔离层和所述第三多晶硅层之间还形成有氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述第三多晶硅层，所述第三插塞贯穿所述隔离层以及所述氮化硅层并与所述第三多晶硅层电连接。可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，所述氮化硅层的厚度为可选的，在所述并联PPS电容器的制作方法中，所述第一多晶硅层的厚度为所述第一介质层的厚度为所述第二多晶硅层的厚度为所述第二介质层的厚度为所述第三多晶硅层的厚度为基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种并联PPS电容器，包括：衬底，所述衬底上形成有堆叠的第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层以及第三多晶硅层，，其中，所述第三多晶硅层和第二介质层中形成有第一沟槽；所述第三多晶硅层、所述第二介质层、所述第二多晶硅层和所述第一介质层中形成有第二沟槽；隔离层，所述隔离层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽以及覆盖所述第三多晶硅层；第一插塞、第二插塞及第三插塞，所述第一插塞贯穿所述隔离层并与所述第一多晶硅层电连接；所述第二插塞贯穿所述隔离层并与所述第二多晶硅层电连接；所述第三插塞贯穿所述隔离层并与所述第三多晶硅层电连接；其中，依次堆叠的所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成第一PPS电容器；依次堆叠的所述第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层构成第二PPS电容器，所述第一PPS电容器和所述第二PPS电容器构成并联PPS电容器。在本专利技术提供的并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器中，所述并联PPS电容器的制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层；利用第一光罩形成第一沟槽和第二沟槽；形成隔离层；利用第二光罩形成第一插塞、第二插塞及第三插塞，其中，在不增加额外的光罩的情况下，仅使用两道光罩，使得依次堆叠的所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成第一PPS电容器以及依次堆叠的所述第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层构成第二PPS电容器，所述第一PPS电容器和所述第二PPS电容器构成并联PPS电容器，本专利技术在不额外增加光刻、刻蚀等多道工艺步骤的情况下，新增加一由所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成的第一PPS电容器，极大效率地利用了已有的所述第一多晶硅层、第一介质层，使得器件的总电容值有了显著的提高。附图说明图1是本专利技术实施例的并联PPS电容器的制作方法流程图；图2-图6是本专利技术实施例制作并联PPS电容器的各工艺步骤中的半导体结构示意图；其中，附图标记说明：10-第一沟槽，20-第二沟槽，100-衬底，110-第一多晶硅层，120-第一介质层，130-第二多晶硅层，140-第二介质层，150-第三多晶硅层，160-隔离层，161-氮化硅层，171-第一插塞，172-第二插塞，173-第三插塞，180-互连层，190-第三沟槽，200-第一PPS电容器，300-第二PPS电容器。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的并联PPS电容器的制作方法及并联PPS电容器作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。本专利技术提供一种并联PPS电容器的制作方法，参考图1，图1是本专利技术实施例的并联PPS电容器的制作方法流程图，所述并联PPS电容器的制作方法包括：S10：提供一衬底，所述衬底上形成有依次堆叠的第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层；S20：利用第一光罩对所述第三多晶硅层和所述第二介质层执行刻蚀工艺以形成第一沟槽，以及对所述第三多晶硅层、所述第二介质层、所述第二多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底上依次形成有第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层；/n利用第一光罩对所述第三多晶硅层和所述第二介质层执行刻蚀工艺以形成第一沟槽，以及对所述第三多晶硅层、所述第二介质层、所述第二多晶硅层和所述第一介质层执行刻蚀工艺以形成第二沟槽；/n形成隔离层，所述隔离层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽以及覆盖所述第三多晶硅层；/n利用第二光罩对所述隔离层执行刻蚀工艺以形成第一插塞、第二插塞及第三插塞，所述第一插塞贯穿所述隔离层并与所述第一多晶硅层电连接；所述第二插塞贯穿所述隔离层并与所述第二多晶硅层电连接；所述第三插塞贯穿所述隔离层并与所述第三多晶硅层电连接；/n其中，在不增加额外的光罩的情况下，依次堆叠的所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成第一PPS电容器；依次堆叠的所述第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层构成第二PPS电容器，所述第一PPS电容器和所述第二PPS电容器构成并联PPS电容器。/n

【技术特征摘要】
1.一种并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上依次形成有第一多晶硅层、第一介质层、第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层；
利用第一光罩对所述第三多晶硅层和所述第二介质层执行刻蚀工艺以形成第一沟槽，以及对所述第三多晶硅层、所述第二介质层、所述第二多晶硅层和所述第一介质层执行刻蚀工艺以形成第二沟槽；
形成隔离层，所述隔离层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽以及覆盖所述第三多晶硅层；
利用第二光罩对所述隔离层执行刻蚀工艺以形成第一插塞、第二插塞及第三插塞，所述第一插塞贯穿所述隔离层并与所述第一多晶硅层电连接；所述第二插塞贯穿所述隔离层并与所述第二多晶硅层电连接；所述第三插塞贯穿所述隔离层并与所述第三多晶硅层电连接；
其中，在不增加额外的光罩的情况下，依次堆叠的所述第一多晶硅层、第一介质层及第二多晶硅层构成第一PPS电容器；依次堆叠的所述第二多晶硅层、第二介质层及第三多晶硅层构成第二PPS电容器，所述第一PPS电容器和所述第二PPS电容器构成并联PPS电容器。


2.根据权利要求1所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，在形成第一插塞、第二插塞及第三插塞之后，所述并联PPS电容器的制作方法还包括：
形成互连层，所述互连层形成于所述隔离层上，所述第一插塞、所述第二插塞和所述第三插塞分别与所述互连层电连接，且所述第一插塞、所述第二插塞和所述第三插塞相互绝缘。


3.根据权利要求1所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，所述第一介质层的材质为氧化硅。


4.根据权利要求1所述的并联PPS电容器的制作方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺形成所述第一介质层。


5.根据权利要求1所述的并联PP...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤志林，王卉，付永琴，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31