【技术实现步骤摘要】
电容式电子芯片部件
本公开一般涉及电子装置，并且特别是电子集成电路芯片的电容部件和包括这种电容部件的电子芯片。
技术介绍
电子集成电路芯片通常包括晶体管和/或存储器单元。这种芯片通常还包括电容部件。
技术实现思路
实施例克服了已知电子芯片的全部或部分缺点。实施例克服了已知电子芯片电容部件的全部或部分缺点。实施例提供了一种电容部件，包括沟槽以及与沟槽竖直排列的第一氧化硅层的第一部分和包括多晶硅或非晶硅的第二导电层和第三导电层的第一部分，第一层的第一部分位于第二层和第三层的第一部分之间并与第二层和第三层的第一部分接触。根据实施例，第二层的第一部分与第三层的第一部分竖直排列地定位。根据实施例，第一层、第二层和第三层的第一部分形成堆叠。根据实施例，第一层、第二层和第三层的第一部分的侧面对应于所述堆叠的侧面。根据实施例，所述堆叠完全位于沟槽上方。根据实施例，电容部件包括位于沟槽中的绝缘层。根据实施例，绝缘层完全填满沟槽。...
【技术保护点】
1.一种电容部件，包括：/n半导体衬底；/n在所述半导体衬底中的沟槽；/n与第一沟槽竖直排列的氧化硅层；以及/n包括多晶硅或非晶硅的第一导电层和第二导电层，所述氧化硅层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间并且与所述第一导电层和所述第二导电层接触。/n
【技术特征摘要】
20181008 FR 18711401.一种电容部件，包括：
半导体衬底；
在所述半导体衬底中的沟槽；
与第一沟槽竖直排列的氧化硅层；以及
包括多晶硅或非晶硅的第一导电层和第二导电层，所述氧化硅层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间并且与所述第一导电层和所述第二导电层接触。
2.根据权利要求1所述的电容部件，其中所述第一导电层与所述第二导电层竖直排列地定位。
3.根据权利要求1所述的电容部件，其中所述氧化硅层与所述第一导电层和所述第二导电层形成堆叠。
4.根据权利要求3所述的电容部件，其中所述氧化硅层的侧面以及所述第一导电层和所述第二导电层的侧面对应于所述堆叠的侧面。
5.根据权利要求3所述的电容部件，其中所述堆叠完全位于所述沟槽上方。
6.根据权利要求1所述的电容部件，包括位于所述沟槽中的绝缘层。
7.根据权利要求6所述的电容部件，其中所述绝缘层完全填充所述沟槽。
8.根据权利要求6所述的电容部件，其中所述绝缘层为所述沟槽的壁加衬，所述电容装置还包括通过所述绝缘层与所述衬底隔开的多晶硅壁。
9.根据权利要求1所述的电容部件，其中所述第一导电层包括外围，所述电容部件还包括：
将所述第一导电层的所述外围与所述第二导电层分开的环形的氧化物-氮化物-氧化物结构。
10.一种电子芯片，包括：
半导体衬底；
第一电容部件，所述第一电容部件包括：
在所述半导体衬底中的第一沟槽；
与所述第一沟槽竖直排列的第一氧化硅层；以及
包括多晶硅或非晶硅的第一导电层和第二导电层，所述第一氧化硅层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间并且与所述第一导电层和所述第二导电层接触。
11.根据权利要求10所述的芯片，还包括晶体管栅极，所述晶体管栅极包括第三导电层和搁置在所述第三导电层上的第四导电层。
12.根据权利要求10所述的芯片，包括第二电容部件，所述第二电容部件包括：
所述半导体衬底中的第二沟槽；
与所述第二沟槽竖直排列的第二氧化硅层；以及
包括多晶硅或非晶硅的第三导电层和...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·马扎基，P·弗纳拉，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。