电子部件制造技术

一种电子部件包括被埋置在第一介电层中的一个或多个半导体裸片、用于在基本平行于该一个或多个半导体裸片的主表面的方向上扩散热的装置以及用于在基本垂直于该一个或多个半导体裸片的主表面的方向上耗散热的装置，该用于扩散热的装置被埋置在第二介电层中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种能够将热量快速耗散的电子部件。
技术介绍
半导体器件可在运行期间产生热。过量的热可降低器件的性能。减少过热对器件性能的影响一种途径是提供另外的散热部件，该另外的散热部件被热耦接至该产生热的半导体部件，并且被配置为将来自该半导体部件的热耗散开。
技术实现思路
在实施例中，一种电子部件包括被埋置在第一介电层中的一个或多个半导体裸片(dice)、埋置在第二介电层中的散热器(heat-spreader)以及被热耦接至该散热器的热沉(heat-sink)。与基本垂直于该一个或多个半导体裸片的主表面的方向比，该散热器在基本平行于该一个或多个半导体裸片的主表面的方向上具有较高的导热性。在实施例中，一种电子部件包括被埋置在第一介电层中的一个或多个半导体裸片、用于在基本平行于该一个或多个半导体裸片的主表面的方向上扩散热(spreadingheat)的装置，以及用于在基本垂直于该一个或多个半导体裸片的主表面的方向上耗散热的装置，该用于扩散热的装置被埋置在第二介电层中。【附图说明】附图的元件相对于彼此不一定是按比例的。相同的附图标记表明对应的类似部分。所示出的各种实施例的特征可彼此，除非其彼此排斥。实施例在附图中被示出，并且在下面的【具体实施方式】中进行描述。图1不出了根据第一实施例的一种电子部件的不意性剖视图；图2示出了根据第二实施例的一种电子部件的示意性剖视图；图3示出了电子部件中的散热路径的示意性剖视图；图4示出了根据第一实施例的一种埋置在介电层中的散热器；图5示出了根据第二实施例的一种埋置在介电层中的散热器；图6示出了根据第三实施例的一种电子部件的示意性顶视图；图7不出了根据第四实施例的一种电子部件的局部剖视图。【具体实施方式】下面的【具体实施方式】参考了附图，附图构成【具体实施方式】的一部分并且以举例说明的方式示出了本专利技术可以实施的特定实施例。就此而言，方向性术语比如“顶(top) ”、“底(bottom) ”、“前(front) ”、“后(back) ”、“前向(leading)，，、“背向(trailing) ”等，是参照所描述的附图方向被使用的。由于实施例的部件可被布置在多个不同的方向上，所以方向性术语被用于例证目的，而绝不是为了限制本专利技术。应当理解的是，不脱离本专利技术的范围，不脱离本专利技术的范围，可以采用其它的实施例并且可以做出结构上或者逻辑上的改变。因此，下面的【具体实施方式】不应被认为具有限制意义，并且本专利技术的范围由所附权利要求定义。许多实施例将在下文中进行说明。在此情况下，相同的结构特征在附图中被标识为相同或类似的附图标记。在本说明书的上下文中，“横向(lateral)”或“横向方向(lateral direct1n) ”应当被理解为意思是通常与半导体材料或半导体载体的横向延伸平行地延伸的方向或延伸。因此，横向方向通常与这些表面或侧面平行地延伸。与此相比，“垂直(vertical) ”或“垂直方向(vertical direct1n) ”应当被理解为意思是通常与这些表面或侧面垂直地延伸的方向，并且因此垂直于横向方向。因此，垂直方向在半导体材料或半导体载体的厚度方向上延伸。如在本说明书中所采用，术语“f禹接(coupled) ”和/或“电親接(electricallycoupled) ”并不意味着表示该元件必须直接耦接在一起一一可以在该“耦接”或“电耦接”的元件之间提供中间元件。如本文所用，“高电压器件(high-voltage device) ” (比如，高电压耗尽模式晶体管)是被优化用于高电压的开关应用的电子器件。就是说，当晶体管关断时，其能够阻断高电压(比如，约300V或更高、约600V或更高，或者约1200V或更高)，并且当晶体管接通时，对于其所使用的应用，其具有足够低的导通电阻(RON)，即，当大电流流经该器件时其经历足够低的导通损耗。高电压器件至少能够阻断等于高电压供应或在其所被使用的电路中的最大电压的电压。高电压器件能够阻断300V、600V、1200V或由应用所需要的其他适当阻断电压。如本文所用，“低电压器件(low-voltage device) ”(比如，低电压增强模式晶体管)是能够阻断比如OV和V1ot之间的低电压的电子器件，但是不能够阻断高于V lOT的电压。Vlmt可以是约10V、约20V、约30V、约40V、或在约5V和50V之间(比如，在约10V和30V之间图1示出了根据第一实施例的电子部件10的示意性横截面。电子部件10包括半导体裸片11、散热器13和热沉15，半导体裸片11被埋置在第一介电层12中，散热器13被埋置在第二介电层14中，热沉15被热耦接至散热器13。散热器13在基本平行于半导体裸片11的主表面16的方向上比在基本垂直于半导体裸片11的主表面16的方向上具有更高的导热性。散热器13可具有大于半导体裸片11的横向区域的横向区域，并且因此，大于主表面16的横向区域。散热器13可至少部分地被布置在半导体裸片11上，以提供散热器13和半导体裸片11之间的，以及在第一介电层12上的良好的热耦接。散热器13可与半导体裸片11被电绝缘，例如通过在第一介电层12和散热器13之间所布置的另外的介电层，或如果半导体裸片11被埋置在第一介电层12之内，通过第一介电层12其自身的部分。例如，如果高电压接触(比如，晶体管器件的漏极接触)面朝散热器13，散热器13可与半导体裸片11被电绝缘。在一些实施例中，散热器13被电耦接至接触焊盘，该接触焊盘被电耦接至半导体裸片11。例如，散热器13可被电耦接至接地接触焊盘。电子部件10可被认为具有多层布置，在其中散热器13被埋置在第二介电层14中，第二介电层14被堆叠在第一介电层12上，半导体裸片11被埋置在第一介电层12中。热沉15可被堆叠在散热器13和第二介电层14上。半导体裸片11可具有的厚度基本类似于第一介电层12的厚度。散热器13可具有的厚度基本类似于第二介电层14的厚度。热沉15可以基本是平面，并且被布置在散热器13和第二介电层14上。热沉15还可被埋置在第三介电层中，从而至少该堆叠的此层的外围边沿可由介电层提供。热沉15的上表面保留未被介电层覆盖，以有助于从热沉15的上表面散热。散热器13可被配置为将热传导至与半导体裸片11的侧面17邻接的区域。例如，散热器13可具有比半导体裸片11大的横向区域，半导体裸片11的横向区域与各向异性导热性结合可被用于帮助将热从半导体裸片11传导至散热器13与半导体裸片11的侧面17邻接的区域。散热器13可具有基本各向异性的导热性，以帮助在横向方向上比在垂直方向上传导热的更大部分。就此而言，垂直表示基本与半导体裸片11的主表面16垂直的方向，并且横向表示基本与半导体裸片11的主表面16平行的方向。热沉15可具有各项同性的导热性，并且可在垂直方向以及横向方向上帮助从散热器13耗散热。热沉15还可被埋置在第三介电层中。该第三介电层可被布置在第二介电层上。散热器13具有各向异性导热性，从而在基本与半导体裸片11的主表面16平行的方向上的导热性高于基本与半导体裸片11的主表面16垂直的方向。该各向异性的导热性可通过颗粒被提供，该颗粒可具有各向异性导热性和各本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件，包括一个或多个半导体裸片，其被埋置在第一介电层中；散热器，其被埋置在第二介电层中，其中所述散热器在基本平行于所述一个或多个半导体裸片的主表面的方向上比在基本垂直于所述一个或多个半导体裸片的所述主表面的方向上具有更高的导热性，以及热沉，其被热耦接至所述散热器。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·斯坦丁，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT