电子部件制造技术

本发明专利技术提供抑制晶须的生长、且焊料润湿性优异的电子部件。作为电子部件的层叠陶瓷电容器(10)包含例如长方体状的电子部件元件(12)。在电子部件元件(12)的一端面及另一端面形成端子电极(18a、18b)的外部电极(20a、20b)。在外部电极(20a、20b)的表面形成由镀Ni构成的第1镀覆皮膜(22a、22b)。在第1镀覆皮膜(22a、22b)的表面形成第2镀覆皮膜(24a、24b)。第2镀覆皮膜(24a、24b)通过第1镀覆层(26a、26b)及第2镀覆层(28a、28b)形成为层叠结构。第2镀覆层(28a、28b)作为与第1镀覆层(26a、26b)相比致密性较低的镀覆层形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子部件，尤其涉及具有致密性不同的镀覆层的例如层叠陶瓷电容器等电子部件。
技术介绍
作为成为该专利技术的背景的技术，公开了能够形成在严酷的冷热循环试验条件下没有晶须的产生、不受基底的金属的影响的镀Sn皮膜的技术(参照专利文献I)。镀Sn层由于随着时间的经过而产生针状的晶须，所以通过采用Sn-Pb合金镀覆来谋求解决，但从近年来的环境保护的观点出发，由于Pb的使用的限制强化对无Pb焊料的要求变得显著。因此，Sn-Pb合金镀覆受到忌避，作为焊料的替代品，焊料润湿性也优异的Sn 材被重新认识，将镀Sn层用于电子部件端子等导通连接部的形成。然而，若如上所述形成这样的镀Sn层的皮膜，则在皮膜上容易产生针状的Sn的晶须。若晶须产生并生长，则有时在邻接的电极间引起电短路故障。此外，若晶须从皮膜脱离并飞散，则飞散的晶须成为在装置内外引起短路的原因。专利文献I中公开的技术中，以提供具有能够抑制这样的晶须发生的皮膜的构件为目的，提供一种镀Sn皮膜，其特征在于，镀Sn皮膜是将镀Sn液电解而得到的镀Sn皮膜，该镀Sn皮膜内包了压缩应力，通过螺旋法测定时的压缩应力为IMPa以上。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2007-239076号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题通常，已知Sn晶须在对Sn皮膜施加压缩应力时生长，但专利文献I中公开的镀Sn皮膜中，由于镀Sn皮膜中已经内包有压缩应力，所以没有缓和应力的余地，因此具有晶须容易伸长的环境。此外，实际上，评价了专利文献I中公开的镀覆浴，结果没有确认到与其它镀覆浴相比，晶须不易伸长的事实。因此，本专利技术的主要目的在于提供抑制晶须的生长、且焊料润湿性优异的电子部件。用于解决问题的方案本专利技术为一种电子部件，其是在最外层具备包含镀Sn皮膜的电极的电子部件，其特征在于，镀Sn皮膜由彼此致密性不同的2个以上的镀覆层的层叠结构构成，镀覆层中，最表层的镀覆层是致密性低的镀覆层。在本专利技术所述的电子部件中，优选在最表层的镀覆层的表面，存在沿与层叠结构的层叠方向平行的方向延伸的多个间隙。此外，在本专利技术所述的电子部件中，优选最表层的镀覆层的厚度为O. 3μπι以上。此外，在本专利技术所述的电子部件中，优选相比最表层为下层的镀覆层的厚度是Iym以上。在本专利技术所述的电子部件中，由于在最外层具备包含镀Sn皮膜的电极的电子部件中，该镀Sn皮膜由彼此致密性不同的2个以上的镀覆层的层叠结构构成，该镀覆层中在最表层形成致密性低的镀覆层，所以能够抑制晶须的生长，并且提高焊料润湿性。这是由于，在最表层致密性低的镀覆层抑制在受到压缩应力时生长的晶须的生长，并且，即使最表层的镀覆层例如由于氧化而导致焊料润湿性的效果降低，也能够通过形成于其下层的致密性高的镀覆层来维持焊料润湿性的效果。 此外，在本专利技术所述的电子部件中，由于在最表层的镀覆层的表面，存在沿与层叠结构的层叠方向平行的方向延伸的多个间隙，所以更加能够抑制在受到压缩应力时生长的晶须的生长。在本专利技术所述的电子部件中，通过将镀Sn皮膜中的最表层的镀覆层的厚度以O. 3 μ m以上形成，从而能够更可靠地抑制晶须的生长。此外，本专利技术所述的电子部件中，通过将形成于镀Sn皮膜的下层的致密性高的镀覆层的厚度以Iym以上形成，从而能够更加提高焊料润湿性的效果。专利技术的效果根据本专利技术，能够得到抑制晶须的生长、且焊料润湿性优异的电子部件。本专利技术的上述目的、其它的目的、特征及优点由参照附图进行的以下的具体实施方式的说明更加清楚。附图说明图I是表示本专利技术所述的层叠陶瓷电容器的一个例子的截面图解图。图2是实施例I的层叠陶瓷电容器中沿第I镀覆皮膜及第2镀覆皮膜的厚度方向切断的截面的示意图。图3是实施例I的层叠陶瓷电容器中相对于第2镀覆皮膜中的第2镀覆层的表面从垂直上方拍摄的电子显微镜照片图像。具体实施例方式图I是表示本专利技术所述的层叠陶瓷电容器的一个例子的截面图解图。图I所示的层叠陶瓷电容器10包含长方体状的陶瓷元件12。陶瓷元件12包含例如由钛酸钡系的电介体陶瓷构成的多个陶瓷层14作为电介体。这些陶瓷层14被层叠，在陶瓷层14间交替形成例如由Ni构成的内部电极16a及16b。这种情况下，内部电极16a的一端部延伸到陶瓷元件12的一端部而形成。此外，内部电极16b的一端部延伸到陶瓷元件12的另一端部而形成。进而，内部电极16a及16b按照中间部及另一端部隔着陶瓷层14重叠的方式形成。因此，该陶瓷元件12具有在内部隔着陶瓷层14设置有多个内部电极16a及16b的层叠结构。在陶瓷元件12的一端面，按照与内部电极16a连接的方式形成端子电极18a。同样地，在陶瓷元件12的另一端面，按照与内部电极16b连接的方式形成端子电极18b。端子电极18a包含例如由Cu构成的外部电极20a。外部电极20a按照与内部电极16a连接的方式形成于陶瓷元件12的一端面。同样地，端子电极18b包含例如由Cu构成的外部电极20b。外部电极20b按照与内部电极16b连接的方式形成于陶瓷元件12的另一端面。此外，在外部电极20a及20b的表面，为了防止焊料浸出(solder leach)，分别形成包含Ni的第I镀覆皮膜22a及22b。进而，如图2所示那样，在第I镀覆皮膜22a及22b的表面，为了改良软钎焊性，分别形成包含Sn的第2镀覆皮膜24a及24b。第2镀覆皮膜24a及24b进一步通过第I镀覆层26a、26b及第2镀覆层28a、28b而形成。第I镀覆层26a及26b形成于第2镀覆层28a及28b的下层。因此，第2镀覆皮膜24a及24b由层叠结构构成。另外，图2是沿第I镀覆皮膜22a、22b及第2镀覆皮膜24a、24b的厚度方向切断的截面的示意图。第I镀覆层26a及26b作为致密性高的镀覆层而形成。第I镀覆层26a及26b的厚度优选以I μ m以上且10 μ m以下的厚度形成。若第I镀覆层26a及26b的厚度以I μ m以上形成，则能够更加提高焊料润湿性的效果，进而，能够更可靠地覆盖第I镀覆皮膜22a 及22b。此外，若第I镀覆层26a及26b的厚度以4μ m以下形成，则能够维持层叠陶瓷电容器10的小型化，故更优选。此外，在第I镀覆层26a及26b的表面，进而，作为第2镀覆皮膜24a及24b的最表层，形成第2镀覆层28a及28b。这些第2镀覆层28a及28b作为与第I镀覆层26a及26b相比致密性较低的镀覆层形成。因此，由于第2镀覆层28a及28b通过致密性较低的镀覆而形成，所以形成沿相对于第2镀覆皮膜24a及24b的层叠结构的层叠方向平行的方向延伸的多个间隙部30。第2镀覆层28a及28b的厚度优选以O. 3 μ m以上且3 μ m以下的厚度形成。若第2镀覆层28a及28b以O. 3μπι以上形成，则能够更可靠地抑制晶须的生长。此夕卜，若第2镀覆层28a及28b以I μ m以下形成，则能够维持层叠陶瓷电容器10的小型化，故更优选。因此，由于第I镀覆层26a及26b与第2镀覆层28a及28b的致密性不同，所以通过各层中的致密性的差异在第I镀覆层26a及26b与第2镀覆层28a及28b之间形成边界面32。接着，对用于制造图I所示的层叠陶瓷电容器10的层叠陶瓷电容器的制造方法的一个例子进行说明。首先，准备陶瓷生片、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件，其是在最外层具备包含镀Sn皮膜的电极的电子部件，其特征在于，所述镀Sn皮膜由彼此致密性不同的2个以上的镀覆层的层叠结构构成，所述镀覆层中，最表层的镀覆层是致密性低的镀覆层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小川诚，元木章博，齐藤笃子，增子贤仁，藤原敏伸，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：