半导体装置的制造方法和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。提供一种增加静电电容并且抑制耐压的劣化的半导体装置的制造方法和半导体装置。包含：在基板上形成下层电极的工序；覆盖下层电极的周围和下层电极的上表面端部来形成第一绝缘膜的工序；沿着下层电极的上表面端部以外的上表面中央部和第一绝缘膜的侧面和上表面形成第二绝缘膜的工序；以及在第二绝缘膜上形成上层电极的工序。

Manufacturing method and semiconductor device of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法和半导体装置
本专利技术涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。
技术介绍
作为半导体装置中的电容器元件，已知有MIM（MetalInsulatorMetal，金属绝缘体金属）电容器。图10和图11是概略性地示出包含现有技术的MIM电容器C的半导体装置90的制造处理的剖面图（专利文献1）。在MIM电容器C的形成时，如图10（a）所示，在半导体基板300上形成了层间绝缘膜301之后，使用溅射法等来形成作为下层电极302的Ti/TiN/Al/Ti膜（从下起依次重叠有Ti（钛）膜302a、TiN（氮化钛）膜302b、Al（铝）膜302c、以及Ti（钛）膜302d的层叠膜）。接着，在下层电极302上使用CVD（ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积）法来形成作为绝缘膜303的SiON膜（氮氧化硅膜）。绝缘膜303构成MIM电容器C中的电容器绝缘膜，绝缘膜303的膜厚根据MIM电容器C的静电电容等来设定。接着，如图10（b）所示，在绝缘膜303上使用溅射法来形成作为上层电极304的TiN膜。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其中，包含：/n在层间绝缘膜上形成导电构件的导电构件形成工序；/n在所述导电构件的表面形成第一绝缘构件的第一绝缘构件形成工序；/n在所述第一绝缘构件的表面形成上层电极的上层电极形成工序；/n形成具有由所述上层电极覆盖的所述第一绝缘构件构成的第一部分和由从所述第一部分延伸的所述第一绝缘构件构成的第二部分的第一绝缘膜的第一绝缘膜形成工序；/n形成覆盖所述导电构件的表面、所述上层电极以及所述第二部分的第二绝缘膜的第二绝缘膜形成工序；以及/n将所述导电构件和所述第二绝缘膜图案化，形成下层电极的下层电极形成工序。/n

【技术特征摘要】
20140626 JP 2014-1317521.一种半导体装置的制造方法，其中，包含：
在层间绝缘膜上形成导电构件的导电构件形成工序；
在所述导电构件的表面形成第一绝缘构件的第一绝缘构件形成工序；
在所述第一绝缘构件的表面形成上层电极的上层电极形成工序；
形成具有由所述上层电极覆盖的所述第一绝缘构件构成的第一部分和由从所述第一部分延伸的所述第一绝缘构件构成的第二部分的第一绝缘膜的第一绝缘膜形成工序；
形成覆盖所述导电构件的表面、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸣泽拓郎，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP