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本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。提供一种增加静电电容并且抑制耐压的劣化的半导体装置的制造方法和半导体装置。包含：在基板上形成下层电极的工序；覆盖下层电极的周围和下层电极的上表面端部来形成第一绝缘膜的工序；沿着下层电极的上表面端部...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。

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