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本实用新型公开了一种高可靠性的MIM电容器，涉及半导体技术领域，该MIM电容器在金属层上设有将金属层分隔为岛状结构的沟槽，金属层上的电容下电极在沟槽正上方开设宽度较小的开口槽，沟槽、开口槽以及电容下电极表面部分区域均覆盖氧化硅，电容下电极表...
该专利属于江苏丽隽功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏丽隽功率半导体有限公司授权不得商用。

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