The invention discloses a manufacturing method of an electrostatic induction transistor, which relates to the semiconductor manufacturing field, including: growing an n \u2011 epitaxial layer on an N + substrate, N + injection on the surface of the n \u2011 epitaxial layer; growing a sin barrier layer on the surface of N + for photolithography of the gate slot; growing an oxide layer on the side wall and the bottom of the gate slot, using isotropic etching to etch the bottom oxide layer; and P + polysilicon is filled in the gate slot, and p-type polysilicon is doped by borane; p-type polysilicon is diffused at high temperature, after which p-type impurity enters the n \u2011 epitaxial layer from the bottom of the gate slot to form P + gate; polysilicon on the surface is removed by silicon grinding; sin barrier on the surface is removed; ILD medium layer is grown by LPCVD; contact hole is formed by photoresist etching ILD medium layer, and contact hole is formed by etching ILD medium layer A metal layer is grown on the front side, etched to form a grid and a source, and a metal layer is grown on the back side to form a drain. Avoid extension and anti-proliferation and reduce costs.
【技术实现步骤摘要】
一种静电感应晶体管的制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其是一种静电感应晶体管的制造方法。
技术介绍
静电感应晶体管(英文:StaticInductionTransistor,简称:SIT)诞生于1970年,是一种结型场效应管单极型压控器件,具有输入阻抗高、输出功率大、开关特性好、热稳定性好以及抗辐射能力强等特点。传统的SIT器件是台面型器件,剖面结构如图1所示,传统的SIT在制作时,在P+栅极上方生长轻掺杂的N-外延层的时候,容易出现P+当中的杂质向外延层中反扩的问题,可能导致外延层反型或者电阻率异常而电性失效;在栅极刻蚀的过程中,为了避免一些离子损伤通常采用湿法腐蚀的方法对栅槽进行刻蚀,但刻蚀的深度比较难把控,可能会出现刻蚀不够或刻蚀过多的问题而导致器件失效,并且湿法腐蚀会出现横向钻蚀,占用一定的芯片面积,降低器件的集成度。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题及技术需求,提出了一种静电感应晶体管的制造方法。本专利技术的技术方案如下:一种静电感应晶体管的制造方法,所述方法包括:在N+衬底上生长N-外延层,在N-外延层的表面进行N+的注入;在N+表面生长SIN阻挡层,进行栅槽的光刻和刻蚀;在栅槽的侧壁及底部生长氧化层,采用各向同性刻蚀的方式对底部的氧化层进行刻蚀,保留侧壁的氧化层;在栅槽内进行P+多晶硅的填充,生长多晶硅的同时采用硼烷对多晶硅进行P型掺杂,掺杂后的P型杂质浓度在1E20/cm3以上;对P型多晶硅进行高温扩散,扩 ...
【技术保护点】
1.一种静电感应晶体管的制造方法,其特征在于,所述方法包括:/n在N+衬底上生长N-外延层,在N-外延层的表面进行N+的注入;/n在N+表面生长SIN阻挡层,进行栅槽的光刻和刻蚀;/n在栅槽的侧壁及底部生长氧化层,采用各向同性刻蚀的方式对底部的氧化层进行刻蚀,保留侧壁的氧化层;/n在栅槽内进行P+多晶硅的填充,生长多晶硅的同时采用硼烷对多晶硅进行P型掺杂,掺杂后的P型杂质浓度在1E20/cm
【技术特征摘要】
1.一种静电感应晶体管的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在N+衬底上生长N-外延层,在N-外延层的表面进行N+的注入;
在N+表面生长SIN阻挡层,进行栅槽的光刻和刻蚀;
在栅槽的侧壁及底部生长氧化层,采用各向同性刻蚀的方式对底部的氧化层进行刻蚀,保留侧壁的氧化层;
在栅槽内进行P+多晶硅的填充,生长多晶硅的同时采用硼烷对多晶硅进行P型掺杂,掺杂后的P型杂质浓度在1E20/cm3以上;
对P型多晶硅进行高温扩散,扩散后P型杂质从栅槽底部进入N-外延层中形成P+栅极;
进行硅研磨,去除表面的多晶硅;
通过热磷酸漂掉表面的SIN阻挡层;
通过LPCVD的方式生长ILD介质层;
通过光刻刻蚀ILD介质层形成接触孔,在正面生长金属层;
对正面的金属层刻蚀形成栅极和源极,在背面生长金属层形成漏极。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述N-外延层的厚度在10~50um之间,电阻率在100~1000ohm.cm之间;
N+的注入杂质为As或P,注入剂量在1E15~1E16/cm3之间,注入能量在150kev以下。
3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:范捷,万立宏,王绍荣,
申请(专利权)人:江苏丽隽功率半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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