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本实用新型公开了一种集成LDMOS的JFET器件，涉及半导体技术领域，该JFET器件中LDMOS和JFET共用的漂移区形成于P型衬底中的N型深阱中，LDMOS和JFET共用的漏区由N型深阱表面的N型重掺杂区形成，LDMOS的沟道区形成于N型...
该专利属于江苏丽隽功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏丽隽功率半导体有限公司授权不得商用。

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