一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法技术

本发明专利技术公开了一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：淀积侧墙材料，将所述鳍部和栅极覆盖；步骤S03：对所述侧墙材料执行以沉积保护层为目的的第一干法刻蚀，至少在所述鳍部的顶面上形成保护层；步骤S04：继续对所述侧墙材料执行以刻蚀去除为目的的第二干法刻蚀，对所述鳍部侧壁上的侧墙材料进行去除；步骤S05：循环重复步骤S03和步骤S04，直至将所述鳍部侧壁上的侧墙材料去除干净。本发明专利技术可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，降低了工艺成本。

A Method to Reduce Fin Loss in FinFET Side Wall Etching

The invention discloses a method for reducing fin loss in FinFET sidewall etching, which includes the following steps: 1. providing a half conductor substrate to form fin and gate of FinFET on the semiconductor substrate; 2. depositing sidewall material to cover the fin and gate; and 2. 03: performing first dry etching for the purpose of depositing a protective layer on the sidewall material. A protective layer is formed at least on the top surface of the fin; (04) Continue to perform a second dry etching for the purpose of etching removal of the side wall material and remove the side wall material on the side wall of the fin; (05) Cyclic repetition of (03) and (104) until the side wall material on the side wall of the fin is removed. The invention can be compatible with conventional silicon-based VLSI manufacturing technology, has the characteristics of simplicity, convenience and short cycle, and reduces process cost.

【技术实现步骤摘要】
一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法
本专利技术涉及集成电路工艺制造
，更具体地，涉及一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，传统的平面器件已难以满足人们对高性能器件的需求。请参阅图1，图1是现有的一种鳍式场效应晶体管的立体结构示意图。如图1所示，该鳍式场效应晶体管(FinFET)结构包括：位于底层的半导体衬底10，在所述半导体衬底10上形成有凸起的鳍部14，鳍部14一般是通过对半导体衬底10刻蚀得到的；介质层11覆盖在所述半导体10的表面以及鳍部14的侧壁的一部分；栅极结构12横跨在所述鳍部14的顶部和侧壁，栅极结构12包括栅介质层和位于栅介质层上的栅电极。更多关于鳍式场效应晶体管的介绍请参考公开号为“US7868380B2”的美国专利。其中，在对现有的鳍式场效应晶体管进行侧墙刻蚀时，在保留栅极的侧墙同时，需要去除鳍(Fin)侧面的侧墙材料。然而，针对这种深宽比超过10的刻蚀，需要进行500％以上的过刻蚀，这样的过程会造成Fin表面的硅损失(损失大于5nm)。当前技术中，通常是采用低能量的离子刻蚀加上偏压的方法来刻蚀侧墙。这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：淀积侧墙材料，将所述鳍部和栅极覆盖；步骤S03：对所述侧墙材料执行以沉积保护层为目的的第一干法刻蚀，至少在所述鳍部的顶面上形成保护层；步骤S04：继续对所述侧墙材料执行以刻蚀去除为目的的第二干法刻蚀，对所述鳍部侧壁上的侧墙材料进行去除；步骤S05：循环重复步骤S03和步骤S04，直至将所述鳍部侧壁上的侧墙材料去除干净。

【技术特征摘要】
1.一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：淀积侧墙材料，将所述鳍部和栅极覆盖；步骤S03：对所述侧墙材料执行以沉积保护层为目的的第一干法刻蚀，至少在所述鳍部的顶面上形成保护层；步骤S04：继续对所述侧墙材料执行以刻蚀去除为目的的第二干法刻蚀，对所述鳍部侧壁上的侧墙材料进行去除；步骤S05：循环重复步骤S03和步骤S04，直至将所述鳍部侧壁上的侧墙材料去除干净。2.根据权利要求1所述的减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，其特征在于，所述保护层作为刻蚀去除侧墙材料时的牺牲层。3.根据权利要求1所述的减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，其特征在于，所述保护层的材料与侧墙材料相同。4.根据权利要求1所述的减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，其特征在于，步骤S02中，通过化学气相沉积在所述鳍部和栅极上覆盖形成厚度均等的一层侧墙材料。5.根据权利要求1所述的减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，其特征在于，步骤S03中，执行第一干法刻蚀时，利用刻蚀气体反应后的生成物在所述鳍部的顶面上和栅极的顶面上的堆积，形成所述保护层；6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾绍海，左青云，李铭，黄仁东，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31