【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备制造领域，具体地，涉及一种刻蚀机和一种利用该刻蚀机 刻蚀晶片的方法。
技术介绍
微电子器件的制造包含许多不同的阶段，每一阶段又包含各种不同的制程，刻蚀 是其中重要的制程之一。刻蚀过程主要包含将等离子体引到晶片(待刻蚀材料，如硅)表面， 通过物理和化学作用腐蚀基材表面，进而形成所需要的各种线条、孔洞、沟槽或其他形状。 等离子体刻蚀设备通常用于实现上述刻蚀过程。图1展示了现有技术中用于等离 子刻蚀的刻蚀机的结构图，如图1所示，所述刻蚀机包括刻蚀机本体10,该刻蚀机本体10内 形成有刻蚀腔11，待刻蚀材料设置在刻蚀腔11内，并且待刻蚀材料上涂敷有光刻胶。 在等离子刻蚀中，刻蚀图形的形貌与光刻胶的形貌直接相关。在光刻胶的曝光 过程中，光刻胶的图形边缘会出现凹凸起伏，这些不平整的起伏会在后续的等离子体刻 蚀中传递到下层材料中去，形成线条边缘粗糙度（Line Edge Roughness, LER)，同时也造 成线条尺寸的不一致，称为线条尺寸粗糙度（Line Width Roughness，LWR)，LWR的定义 如图2所示。⑶,、⑶9、⑶，……⑶,_，CDnS光刻胶线条各个部分的宽度，线条尺寸粗糙度
【技术保护点】
一种刻蚀机，该刻蚀机包括具有刻蚀腔的刻蚀机本体，其特征在于，所述刻蚀机还包括紫外光发生装置，该紫外光发生装置中产生的紫外光能够射入所述刻蚀腔内，照射所述刻蚀腔内的光刻胶。
【技术特征摘要】
1. 一种刻蚀机，该刻蚀机包括具有刻蚀腔的刻蚀机本体，其特征在于，所述刻蚀机还包 括紫外光发生装置，该紫外光发生装置中产生的紫外光能够射入所述刻蚀腔内，照射所述 刻蚀腔内的光刻胶。2. 根据权利要求1所述的刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀机本体的侧壁上设置有导光 通孔，该导光通孔内设置有紫外透镜组，所述紫外光发生装置中产生的紫外光能够通过所 述紫外透镜组射入所述刻蚀腔内，且所述紫外透镜组能够将所述紫外光发生装置中产生的 紫外光分散。3. 根据权利要求2所述的刻蚀机，其特征在于，所述紫外光发生装置包括设置有紫外 光发生腔的紫外光发生本体、缠绕在所述紫外光发生本体外部的第一射频线圈和用于提供 气体的气体源，所述紫外光发生腔通过所述导光通孔和所述紫外透镜组与所述刻蚀腔光路 相通，且所述紫外光发生腔与所述气体源流体相通。4. 根据权利要求3所述的刻蚀机，其特征在于，所述气体源能够提供馬、皿r、NHs和化 中的任意一种。5. 根据权利要求3所述的刻蚀机，其特征在于，所述紫外光发生装置还包括与所述紫 外光发生腔流体相通的抽真空粟。6. 根据权利要求3所述的刻蚀机，其特征在于，所述气体源与所述刻蚀腔选择性地流 体相通。7. 根据权利要求2至6中任意一项所述的刻蚀机，其特征在于，所述紫外光发生装置还 包括第一屏蔽壳体，该第一屏蔽壳体罩在所述第一射频线圈外部。8. -种利用刻蚀机刻蚀晶片的方法，其特征在于，所述刻蚀机包括具有刻蚀腔的刻蚀 机本体，其特征在于，所述方法包括W下步骤： 步骤100、光刻胶处理；利用紫外光对所述刻蚀腔内的曝光后的光刻胶进行照射； 步骤200、刻蚀；将所述刻蚀腔内照射过紫外光的光刻胶的图形转印到晶片上。9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述刻蚀机还包括紫外光发生装置，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨盟，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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