【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种。
技术介绍
基于SiC衬底的AWaN/GaN HEMT器件，通常需要依靠背孔技术实现源段接地，以减小接地电阻和寄生参数，进而提高器件的性能。要实现背孔接地技术，通常需要依靠机械研磨，实现SiC衬底的减薄。但是，采用机械减薄存在以下缺点1、研磨时间过长，从380um研磨至90um，通常需要5_6小时的粗磨，并且需要8_10小时的细磨，以改善表面平整度；整个研磨耗费昂贵。2、研磨过程中的横向切削力对正面的器件造成损伤(如图9所示)，因为要依靠磨料加磨盘和负载的重力一加快研磨速度，导致器件正面的性能下降。3、机械研磨往往耗费时间，需要时间经常长达16-20小时甚至更长，效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是提供一种缩短SiC单晶衬底的减薄时间，避免传统机械研磨过程中剪切应力对AWaN/GaN HEMT器件性能影响的。根据本专利技术的一个方面，提供一种包括勻光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的MGaN/GaN HEMT器件； 将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上； 将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。根据本专利技术提供的，可以有效缩短SiC衬底的减薄时间，提高工作效率，减少减薄时间。另外，由于整个衬底减薄过程中没有机械剪切力，器件的性能不会有明显的降低。附图说明图1是本专利技术实施例提供的制备完成以后的AWaN/GaN HEMT器件的示意图； 图2是对图1所示的器件进行涂光刻胶的示意图3是图2所示的器件进行粘片的示意图； 图4是图3所示的器件进行刻蚀的示意图； 图5是图4所示器件进行...
【技术保护点】
１．一种ＳｉＣ衬底的减薄方法，其特征在于，包括：匀光刻胶，保护表面制备完成的基于ＳｉＣ衬底的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ 器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ＩＣＰ刻蚀机腔体进行刻蚀。
【技术特征摘要】
1.一种SiC衬底的减薄方法，其特征在于，包括勻光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的MGaN/GaN HEMT器件； 将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上； 将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于 所述光刻胶包括正胶或负胶。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于 所述正胶的厚度约为3000-5000nm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述勻光刻胶是在1...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏珂，黄俊，刘果果，李诚瞻，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11
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