进行实际流量检验的方法技术

提供一种确定等离子处理系统的反应室中实际气体流率的方法。该方法包括在质量流量控制器（ＭＦＣ）的控制下由气流输送系统将气体输送至小孔，其设在该反应室的上游。该方法还包括对该气体加压以在该小孔内建立扼流状态。该方法进一步包括用一组压力传感器测量该气体的一组上游压力值。该方法还又包括应用一组校准因子的一个校准因子来确定该实际流率。该校准因子是这组上游压力值的平均值与一组极佳上游压力值的平均值的比，其与ＭＦＣ的指示流率相关。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】进4亍实际流量检验的方法
技术介绍
等离子处理的发展促进了半导体工业的成长。等离子处理期 间，半导体制造商会采用某种制法以在基片上蚀刻和/或沉积材料。该制法可包括多个计量，例如，包括RF功率等级、气体、温度、压 力、气体流率等。该制法的每个计量共同运转以产生优良的装置(例 如，MEM等)。因此，不精确的计量会产生不够标准的装置和/或有缺陷的装置。为了使不准确度最小，必须监测和/或检验提供计量的各个 不同部件。气体流率就是这样的必须检验的计量。在基片处理期间， 供给该反应室的工艺气体量通常要仔细地控制。指示气体流率(即， 工艺气体流率) 一般由质量流量控制器(MFC)控制。考虑这种情 况，其中，例如关键工艺步骤需要40标准立方厘米(sccm)的流率。 工艺工程师会/人用户界面将该流率输入该工艺制法并将该制法应 用到该等离子工具。在l叙入该制法流率中，该工艺工^f呈师有Ii殳该质 量流量控制器(MFC)将以所需速率4吏气体流进该反应室。然而， 实际的气体流率会不同于该MFC的指示流率。如这里所讨论的，指 示流率指的是显示在该等离子工具的用户界面上的示为MFC流率 的那个流率。该指示流率的精确度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种确定等离子处理系统的反应室中实际气体流率的方法，包括：　在质量流量控制器（ＭＦＣ）的控制下由气流输送系统将气体输送至小孔，所述小孔位于所述反应室的上游；　对所述气体加压以在所述小孔内创建扼流状态；　通过一组压力传感器测 量所述气体的一组上游压力值；和　应用一组校准因子的一个校准因子以确定所述实际流率，所述校准因子是该组上游压力值的平均值与一组极佳上游压力值的平均值的比，所述极佳压力值表示与指示流率相关联的压力值，所述指示流率是所述ＭＦＣ标示的流率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊克巴尔A谢里夫，吉姆蒂茨，韦尔农翁，里奇迈内克，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]