【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制微负载的脉冲式偏置等离子体工艺
技术介绍
本专利技术涉及具有不同纵横比的特征的层的蚀刻。更准确地说，本专利技术涉及在具有 开放(open)和密集(dense)两种特征的蚀刻层的蚀刻过程中减小微负载。在半导体晶片处理过程中，有时候半导体器件可能有开放和密集两种特征。开放 的特征具有更宽的宽度，而密集的特征具有更窄的宽度。因此，半导体器件可具有不同纵横 比的特征。特征的纵横比是该特征的高度和宽度之间的比。因此，如果半导体器件的所有 特征的高度大致相同，那么开放特征具有相对较低的纵横比，而密集特征具有相对较高的 纵横比。在这样的具有不同纵横比的特征的半导体器件的蚀刻过程中，尤其是当该特征的 纵横比很高时，微负载成为一个常见问题。因此，开放的特征蚀刻地比密集的特征更快。经 常，当开放特征的蚀刻完成时，密集特征的蚀刻可能只有部分完成。这被称为“纵横比依赖 蚀刻”。为了完成密集特征的蚀刻而持续该蚀刻工艺可能导致开放特征被蚀刻到待蚀刻层 以下的层，比如衬底，并损害该半导体器件。
技术实现思路
为了实现前述并相应于本专利技术的目的，在一个实施方式中，提供一种透过具有更 宽的和更窄的特征...
【技术保护点】
一种透过具有更宽的和更窄的特征的掩模蚀刻导电层的方法，包含：（ａ）流入稳态蚀刻气体；（ｂ）提供稳态ＲＦ电力以从该蚀刻气体形成等离子体；（ｃ）在该稳态蚀刻气体流动过程中提供脉冲式偏置电压，其中该脉冲式偏置电压具有在１到１０，０００Ｈｚ之间的频率；以及（ｄ）使用由该蚀刻气体形成的该等离子体将更宽的和更窄的特征蚀刻入该导电层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-11-29 60/991,124一种透过具有更宽的和更窄的特征的掩模蚀刻导电层的方法，包含(a)流入稳态蚀刻气体；(b)提供稳态RF电力以从该蚀刻气体形成等离子体；(c)在该稳态蚀刻气体流动过程中提供脉冲式偏置电压，其中该脉冲式偏置电压具有在1到10,000Hz之间的频率；以及(d)使用由该蚀刻气体形成的该等离子体将更宽的和更窄的特征蚀刻入该导电层。2.根据权利要求1所述的方法，其中该脉冲式偏置电压减少该更宽的和更窄的特征之 间的微负载。3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中该蚀刻气体包含沉积组分和蚀刻组分。4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中当该偏置电压很低时，带来净沉积，而 当偏置电压很高时，带来净蚀刻。5.根据权利要求4所述的方法，其中该净沉积是方向性的，且该净蚀刻是方向性的。6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中该导电层是含钨层。7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中该脉冲式偏置具有在IOHz和5，OOOHz 之间的频率。8.根据权利要求3-7中任一项所述的方法，其中该蚀刻气体的该沉积组分包含 含硅组分；以及含氧组分。9.根据权利要求8所述的方法，其中该含硅组分是卤化硅烷。10.根据权利要求8所述的方法，其中该含氧组分是氧气(O2)。11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中该脉冲式偏置电压是脉冲式直流电压。12.一种透过具有更宽的和更窄的特征的掩模蚀刻蚀刻层的由计算机实现的方法，包含(a)向等离子体室内流入包含沉积组分和蚀刻组分的稳态蚀刻气体；(b)向该等离子体室中提供稳态RF电力以从该蚀刻气体形成等离子体；(c)在该稳态蚀刻气体流动过程中向该等离子体室提供脉冲式偏置电压，其中该脉冲 式偏置电压具有在1到10，OOOHz之间的频率；以及(d)使用从该蚀刻气体形成的该等离子体蚀刻该蚀刻层以形成具有更小的微负载的更 宽的和更窄的蚀刻特征。13.根据权利要求12所述的由计算机实现的方法，其中该脉冲式偏置具有在IOHz和 5，OOOHz之间的频率。14.根据权利要求12-13中任一项所述的由计算机实现的方法，其中该蚀刻气体的该 沉积组分包含含硅组分；以及 含氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：李源哲，符谦，刘身健，布赖恩普，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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