【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】长寿命可消耗氮化硅-二氧化硅等离子处理部件
技术介绍
等离子处理设备用来通过使用包括蚀刻、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积 (CVD)、离子注入和抗蚀剂去除处理基片。一种在等离子处理中使用的等离子处理设备包括 含有上部和下部电极的反应室。该电极之间的RF生成的等离子产生高能离子和中性物质， 其在该反应室内蚀刻该晶片衬底和室部件。
技术实现思路
提供一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。在该室中 一次一个等离子蚀刻半导体基片，同时使用至少一个暴露于离子轰击和/或离子化卤素气 体的、烧结的氮化硅部件。该氮化硅部件由大约80wt%和大约95wt%之间的高纯度氮化硅 以及大约5wt%和大约20衬％之间的烧结辅料组成。该烧结辅料由高纯度二氧化硅组成。提供一种等离子处理室。基片夹持件在处理室内部支撑基片。烧结的氮化硅部件 具有邻近该基片的暴露表面。该部件由大约80wt%和大约95衬％之间的高纯度氮化硅和 大约5wt%和大约20衬％之间的烧结辅料组成。该烧结辅料由高纯度二氧化硅组成。气体 供应源将工艺气体提供到该处理室内部。能量源将能量提供到该处理室内部并将该工艺...
【技术保护点】
一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法，包括：在该室中一次一个等离子蚀刻半导体基片，同时使用至少一个暴露于离子轰击和／或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件，该氮化硅部件由大约８０ｗｔ％和大约９５ｗｔ％之间的高纯度氮化硅和大约５ｗｔ％和大约２０ｗｔ％之间的烧结辅料组成，该烧结辅料由高纯度二氧化硅组成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-10-31 61/001,113一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法，包括在该室中一次一个等离子蚀刻半导体基片，同时使用至少一个暴露于离子轰击和/或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件，该氮化硅部件由大约80wt％和大约95wt％之间的高纯度氮化硅和大约5wt％和大约20wt％之间的烧结辅料组成，该烧结辅料由高纯度二氧化硅组成。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在等离子蚀刻该半导体基片之前用该烧结 的氮化硅部件替换石英部件。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在等离子蚀刻该半导体基片之前用该烧结 的氮化硅部件替换氮化硅部件。4.根据权利要求1所述的方法，其中该部件是销套管、限制环、热边缘环盖或接地覆盖 环的至少一个。5.根据权利要求1所述的方法，其中该等离子蚀刻包括使用碳氟化合物和/或氢氟碳 化合物蚀刻气体在电介质材料中蚀刻开口。6.根据权利要求1所述的方法，其中该高纯度氮化硅和该高纯度二氧化硅具有 IOOOppm至5000ppm之间、IOOppm至IOOOppm之间或低于IOOppm的金属杂质，该金属杂质 包括钡、钙、铈、铬、铜、镓、铟、铁、锂、镁、镍、钾、钠、锶、锡、钛、钒、钇、锌和锆；该氮化硅部件 的密度是理论密度的大约95%或更多和/或没有孔。7.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻电介质材料期间，清洁之间的平均时间在大 约800RF小时和大约1000RF小时之间。8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括从该等离子蚀刻室去除该半导体基片；和等离子清洁该等离子蚀刻室内部，其中该等离子清洁包括利用氧气和/或氮气生成等 离子以从该等离子蚀刻室内部去除聚合物沉积，在蚀刻一个基片之后以及蚀刻另一基片之 间执行等离子清洁。9.一种等离子处理室，其包括基片夹持件，用以在处理室内部内支撑基片；烧结的氮化硅部件，具有邻近该基片的暴露表面，其中该部件由大约80wt%和大约 95wt%之间的高纯度氮化硅和大约5wt%和大约20wt%之间的烧结辅料组成，该烧结辅料 由高纯度二氧化硅组成；气体供应源，将工艺气体提供到该处理室内部；和能量源，将能量提供到该处理室内部并将该工艺气体激发为等离子态用以处理该基 片，其中该部件将该等离子处理期间该基片的表面上的金属污染物最小化到低于100X IOki 原子/cm2。10.根据权利要求9所述的等离子处理室，其中该部件将等离子处理期间该基片的表 面上的金属污染物最小化至低于50X IOltl原子/cm2 ；该部件由大约80wt%和大约93衬％之 间的高纯度氮化硅和大约7wt%和大约20衬％之间的烧结辅料组成。11.根据权利要求9所述的等离子处理室，其中该部件将等离子处理期间该基片的表 面上的金属污染物最小化至低于IOX IOki原子/cm2。12.根据权利要求9所...
【专利技术属性】
技术研发人员：特拉维斯R泰勒，穆昆德斯里尼瓦桑，鲍比卡德霍达彦，KY拉曼努金，比利亚纳米琪杰尔治，吴尚华，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，赛瑞丹公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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