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提供一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。半导体基片在该室中等离子蚀刻，同时使用至少一个暴露于离子轰击和／或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件。该烧结的氮化硅部件包括高纯度氮化硅和由二氧化硅组成的烧结辅料。等离子处理室设...
该专利属于朗姆研究公司;赛瑞丹公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司;赛瑞丹公司授权不得商用。

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