等离子蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子蚀刻装置，其具备：具有等离子处理室的壳体；被加工物保持构件，其配设在等离子处理室内，在上表面保持被加工物；处理气体喷射构件，其具有处理气体喷射部；处理气体供给构件，其向处理气体喷射构件提供处理气体；和减压等离子处理室的减压构件，该处理气体喷射部具有中央喷射部和外周喷射部，处理气体供给构件具备：处理气体供给源；缓冲箱，其与处理气体供给源连通，暂时收纳处理气体；将缓冲箱和中央喷射部连通的中央喷射部供给路径；将缓冲箱和外周喷射部连通的外周喷射部供给路径；配设于中央喷射部供给路径的第1高频开闭阀；配设于外周喷射部供给路径的第2高频开闭阀；和控制第1高频开闭阀和第2高频开闭阀的控制构件。

【技术实现步骤摘要】
等离子蚀刻装置
本专利技术涉及用于通过等离子蚀刻去除形成于半导体器件周围的缺口等的等离子蚀刻装置。
技术介绍
例如，在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形形状的半导体晶片的表面呈格子状地形成的分割预定线划分而成的多个区域中形成IC (集成电路)、LSI (大规模集成电路)等器件，沿着分割预定线对形成有该器件的各区域进行分割，由此，制造出一个个半导体器件。作为分割半导体晶片的分割装置一般使用切削装置，该切削装置通过厚度为20μπι左右的切削刀沿着分割预定线来切削半导体晶片。像这样分割出的半导体器件在封装之后被广泛利用到便携电话和个人电脑等电气设备中。 然而，切削装置进行的切削加工通过旋转的切削刀实施，因此具有在半导体器件的外周产生细小的缺口或应力，从而使器件的抗折强度降低的问题。 为了消除这样的问题，提出了如下方法:通过沿着分割预定线对半导体晶片进行等离子蚀刻并分割，得到在外周不产生缺口或应力的半导体器件(例如参照专利文献I)。 专利文献1:日本特许第4447325号公报 然而，在沿着分割预定线对半导体晶片进行等离子蚀刻并分割的方法中，蚀刻速率存在偏差，从而具有无法沿着多个分割预定线均匀进行蚀刻这一问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种能够沿着多个分割线均匀蚀刻半导体晶片等被加工物的等离子蚀刻装置。 为了解决上述主要的技术课题，根据本专利技术，提供一种等离子蚀刻装置，其具备:具有等离子处理室的壳体；被加工物保持构件，其配设在该壳体的等离子处理室内，且在上表面保持被加工物；处理气体喷射构件，其具有处理气体喷射部，该处理气体喷射部向由该被加工物保持构件保持的被加工物喷射等离子产生用的处理气体；处理气体供给构件，其向该处理气体喷射构件提供处理气体；以及对该等离子处理室内进行减压的减压构件，该等离子蚀刻装置的特征在于， 该处理气体喷射构件的该处理气体喷射部具有中央喷射部和围绕该中央喷射部的外周喷射部， 该处理气体供给构件具备:处理气体供给源；缓冲箱，其与该处理气体供给源连通，暂时收纳处理气体；将该缓冲箱和该中央喷射部连通的中央喷射部供给路径；将该缓冲箱和该外周喷射部连通的外周喷射部供给路径；配设于该中央喷射部供给路径的第I高频开闭阀；配设于该外周喷射部供给路径的第2高频开闭阀；以及控制该第I高频开闭阀的开闭频率和该第2高频开闭阀的开闭频率的控制构件。 上述处理气体供给构件包含:提供第I处理气体的第I处理气体供给源；提供第2处理气体的第2处理气体供给源；将第I处理气体和第2处理气体混合的气体混合构件；将气体混合构件和缓冲箱连通的处理气体连通路径；以及压力调整构件，其配设于处理气体连通路径，对提供到缓冲箱的处理气体的压力进行调整。 此外，该等离子蚀刻装置具有多个上述处理气体供给构件，上述控制构件对分别配设于各处理气体供给构件的中央喷射部供给路径和外周喷射部供给路径的第I高频开闭阀的开闭频率和第2高频开闭阀的开闭频率进行控制。 在本专利技术的等离子蚀刻装置中，处理气体喷射构件的处理气体喷出部具有中央喷射部和围绕该中央喷射部的外周喷射部，处理气体供给构件具备:处理气体供给源；缓冲箱，其与处理气体供给源连通，暂时收纳处理气体；将缓冲箱和中央喷射部连通的中央喷射部供给路径；将缓冲箱和外周部喷射部连通的外周喷射部供给路径；配设于中央喷射部供给路径的第I高频开闭阀；配设于外周喷射部供给路径的第2高频开闭阀；以及控制第I高频开闭阀和第2高频开闭阀的开闭频率的控制构件，因此要喷射到等离子处理室的处理气体从中央喷射部和外周喷射部以规定的开闭频率被提供，所以喷射到了等离子处理室的处理气体被充分搅拌，能够在被加工物的各部分使蚀刻速率均匀。 【附图说明】 图1是根据本专利技术构成的等离子蚀刻装置的主要部分剖视图。 图2是作为被加工物的半导体晶片的立体图。 图3是在图2所示的半导体晶片的表面粘贴保护带的保护部件粘贴步骤的说明图。 图4是在图2所示的半导体晶片的背面中的除与分割预定线对应的区域以外的区域中覆盖抗蚀剂膜的抗蚀剂膜覆盖步骤的说明图。 图5是放大示出通过图1所示的等离子蚀刻装置蚀刻后的半导体晶片的主要部分的剖视图。 标号说明 2:等离子蚀刻装置；3:壳体；30:等离子处理室；35:门；36:门动作构件；4:减压构件；5:第I电极单元；50:高频电源；51:被加工物保持台；6 --第2电极单元；60:高频电源；61:处理气体喷出部；611:中央喷射部；612:外周喷射部；7:处理气体供给构件；71:第I处理气体供给构件；72 --第2处理气体供给构件；711a、721a:第I处理气体供给源；711b,721b:第2处理气体供给源;713、723:气体混合构件;716、726:缓冲箱;717、727:压力调整构件；718a、728a:第I隔膜阀;718b、728b --第2隔膜阀；8:控制构件；10:半导体晶片；11:保护带；12:光致抗蚀剂月旲。 【具体实施方式】 以下，参照附图详细地对根据本专利技术构成的等离子蚀刻装置的优选实施方式进行说明。 图1示出了根据本专利技术构成的等离子蚀刻装置的主要部分剖视图。图1所示的等离子蚀刻装置2具有形成等离子处理室30的壳体3。该壳体3由以下部分构成:底壁31、顶壁32、左右侧壁33、34、后侧侧壁以及前侧侧壁(未图示)，在右侧侧壁34设置有被加工物搬出搬入用的开口 341。在开口 341的外侧配设有能够沿上下方向移动的、用于开闭开口 341的门35。该门35通过门动作构件36来进行工作。门动作构件36由以下部分构成:气缸361 ;以及活塞杆362，其与配设于该气缸361内的未图示的活塞连接，活塞杆362的末端(图中为上端)与上述门35连接。通过利用该门动作构件36开启门35，能够经过开口341对被加工物进行搬出搬入。另外，在构成壳体3的左侧壁33设置有排气口 331，该排气口 331与减压构件4连接。 在通过上述壳体3形成的等离子处理室30中配设有以下部件:配设在底壁31上的作为被加工物保持构件的第I电极单元5 ;以及与该第I电极单元5相对地配设的作为处理气体喷射构件的第2电极单元6。作为被加工物保持构件的第I电极单元5设置有在上表面保持被加工物的圆形的被加工物保持台51。另外，被加工物保持台51构成为具有静电卡盘。通过高频电源50向这样构成的第I电极单元5施加频率为13MHz且50w的高频电力。 作为处理气体喷射构件的第2电极单元6在下表面具有处理气体喷出部61，该处理气体喷出部61配设成与上述第I电极单元5的被加工物保持台51相对，且具有向被加工物保持台51喷出等离子产生用的处理气体的喷出口。该处理气体喷出部61具有圆形的中央喷射部611、和围绕该中央喷射部611的圆环状的外周喷射部612。此外，在第2电极单元6中，形成有与中央喷射部611连通的第I通道62、和与外周喷射部612连通的第2通道63。通过高频电源60向这样构成的第2电极单元6施加频率为13MHz且3000?的高频电力。 等离子蚀刻装置2具备向上述第2电极单元6提供等离子产生用的处理气体的处理气体供给构件7。处理气体供给本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子蚀刻装置，其具备：具有等离子处理室的壳体；被加工物保持构件，其配设在该壳体的等离子处理室内，且在上表面保持被加工物；处理气体喷射构件，其具有处理气体喷射部，该处理气体喷射部向由该被加工物保持构件保持的被加工物喷射等离子产生用的处理气体；处理气体供给构件，其向该处理气体喷射构件提供处理气体；以及对该等离子处理室内进行减压的减压构件，该等离子蚀刻装置的特征在于，该处理气体喷射构件的该处理气体喷射部具有中央喷射部和围绕该中央喷射部的外周喷射部，该处理气体供给构件具备：处理气体供给源；缓冲箱，其与该处理气体供给源连通，暂时收纳处理气体；将该缓冲箱和该中央喷射部连通的中央喷射部供给路径；将该缓冲箱和该外周喷射部连通的外周喷射部供给路径；配设于该中央喷射部供给路径的第1高频开闭阀；配设于该外周喷射部供给路径的第2高频开闭阀；以及控制该第1高频开闭阀的开闭频率和该第2高频开闭阀的开闭频率的控制构件。

【技术特征摘要】
2013.07.16 JP 2013-1475441.一种等离子蚀刻装置，其具备:具有等离子处理室的壳体；被加工物保持构件，其配设在该壳体的等离子处理室内，且在上表面保持被加工物；处理气体喷射构件，其具有处理气体喷射部，该处理气体喷射部向由该被加工物保持构件保持的被加工物喷射等离子产生用的处理气体；处理气体供给构件，其向该处理气体喷射构件提供处理气体；以及对该等离子处理室内进行减压的减压构件，该等离子蚀刻装置的特征在于， 该处理气体喷射构件的该处理气体喷射部具有中央喷射部和围绕该中央喷射部的外周喷射部， 该处理气体供给构件具备:处理气体供给源；缓冲箱，其与该处理气体供给源连通，暂时收纳处理气体；将该缓冲箱和该中央喷射部连通的中央喷射部供给路径；将该缓冲箱和该外周喷射部连通的外周喷射部供给路径...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒见淳一，冈崎健志，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP