等离子蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子蚀刻装置，其具备：具有等离子处理室的壳体；被加工物保持构件，其配设在等离子处理室内，在上表面保持被加工物；处理气体喷射构件，其具有处理气体喷射部；处理气体供给构件，其向处理气体喷射构件提供处理气体；和减压等离子处理室的减压构件，该处理气体喷射部具有中央喷射部和外周喷射部，处理气体供给构件具备：处理气体供给源；缓冲箱，其与处理气体供给源连通，暂时收纳处理气体；将缓冲箱和中央喷射部连通的中央喷射部供给路径；将缓冲箱和外周喷射部连通的外周喷射部供给路径；配设于中央喷射部供给路径的第1高频开闭阀；配设于外周喷射部供给路径的第2高频开闭阀；和控制第1高频开闭阀和第2高频开闭阀的控制构件。

【技术实现步骤摘要】
等离子蚀刻装置
本专利技术涉及用于通过等离子蚀刻去除形成于半导体器件周围的缺口等的等离子蚀刻装置。
技术介绍
例如，在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形形状的半导体晶片的表面呈格子状地形成的分割预定线划分而成的多个区域中形成IC (集成电路)、LSI (大规模集成电路)等器件，沿着分割预定线对形成有该器件的各区域进行分割，由此，制造出一个个半导体器件。作为分割半导体晶片的分割装置一般使用切削装置，该切削装置通过厚度为20μπι左右的切削刀沿着分割预定线来切削半导体晶片。像这样分割出的半导体器件在封装之后被广泛利用到便携电话和个人电脑等电气设备中。 然而，切削装置进行的切削加工通过旋转的切削刀实施，因此具有在半导体器件的外周产生细小的缺口或应力，从而使器件的抗折强度降低的问题。 为了消除这样的问题，提出了如下方法:通过沿着分割预定线对半导体晶片进行等离子蚀刻并分割，得到在外周不产生缺口或应力的半导体器件(例如参照专利文献I)。 专利文献1:日本特许第4447325号公报 然而，在沿着分割预定线对半导体晶片进行等离子蚀刻并分割的方法中，蚀刻速率存在偏差，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子蚀刻装置，其具备：具有等离子处理室的壳体；被加工物保持构件，其配设在该壳体的等离子处理室内，且在上表面保持被加工物；处理气体喷射构件，其具有处理气体喷射部，该处理气体喷射部向由该被加工物保持构件保持的被加工物喷射等离子产生用的处理气体；处理气体供给构件，其向该处理气体喷射构件提供处理气体；以及对该等离子处理室内进行减压的减压构件，该等离子蚀刻装置的特征在于，该处理气体喷射构件的该处理气体喷射部具有中央喷射部和围绕该中央喷射部的外周喷射部，该处理气体供给构件具备：处理气体供给源；缓冲箱，其与该处理气体供给源连通，暂时收纳处理气体；将该缓冲箱和该中央喷射部连通的中央喷射部供给路径；将该缓...

【技术特征摘要】
2013.07.16 JP 2013-1475441.一种等离子蚀刻装置，其具备:具有等离子处理室的壳体；被加工物保持构件，其配设在该壳体的等离子处理室内，且在上表面保持被加工物；处理气体喷射构件，其具有处理气体喷射部，该处理气体喷射部向由该被加工物保持构件保持的被加工物喷射等离子产生用的处理气体；处理气体供给构件，其向该处理气体喷射构件提供处理气体；以及对该等离子处理室内进行减压的减压构件，该等离子蚀刻装置的特征在于， 该处理气体喷射构件的该处理气体喷射部具有中央喷射部和围绕该中央喷射部的外周喷射部， 该处理气体供给构件具备:处理气体供给源；缓冲箱，其与该处理气体供给源连通，暂时收纳处理气体；将该缓冲箱和该中央喷射部连通的中央喷射部供给路径；将该缓冲箱和该外周喷射部连通的外周喷射部供给路径...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒见淳一，冈崎健志，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP