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本发明提供等离子蚀刻装置，其具备：具有等离子处理室的壳体；被加工物保持构件，其配设在等离子处理室内，在上表面保持被加工物；处理气体喷射构件，其具有处理气体喷射部；处理气体供给构件，其向处理气体喷射构件提供处理气体；和减压等离子处理室的减压构...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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