一种等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置，通过设置一带加热元件的等离子体加热环，实现对反应腔内的等离子体加热，满足刻蚀工艺对等离子体温度的要求；在所述加热元件的周围设置隔热渠道，将等离子体加热环的加热元件产生的热量与周围的部件和外部空间进行隔离，在使得热量不被损耗的同时，保证了各个部件之间的温度能独立控制，便于反应工艺在不同位置对温度的不同需求。隔热渠道将加热元件产生的热量与外部空间进行隔离，能保证外部空间的温度不会对操作人员造成威胁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体处理
，尤其涉及一种电感耦合等离子体处理装置。
技术介绍
等离子体处理装置广泛应用于集成电路的制造工艺中，如沉积、刻蚀等。其中，电感耦合型等离子体（ICP，Inductively Coupled Plasma）装置是等离子体处理装置中的主流技术之一，其原理主要是使用射频功率驱动电感耦合线圈产生较强的高频交变磁场，使得低压的反应气体被电离产生等离子体。等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理晶圆的表面发生多种物理和化学反应，使得晶圆表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程；另外，上述活性离子比常规的气态反应物具有更高的活性，可以促进反应气体间的化学反应，即可以实现等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）根据等离子体刻蚀工艺的要求，产生的等离子体通常要达到一定的温度才能进行更好地刻蚀工艺，故在等离子体区域需设置对等离子体进行加温的装置。现有技术中，在等离子体处理装置的侧壁内部设置一加热元件，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，包括一绝缘窗口和位于绝缘窗口下方的腔体盖，腔体盖下方设置腔体侧壁，所述腔体盖和所述腔体侧壁之间设置一等离子体加热环，其特征在于：所述等离子体加热环内设置一加热元件，所述加热元件周围设置至少一条隔热渠道。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，包括一绝缘窗口和位于绝缘窗口下方的腔体
盖，腔体盖下方设置腔体侧壁，所述腔体盖和所述腔体侧壁之间设置一
等离子体加热环，其特征在于：所述等离子体加热环内设置一加热元件，
所述加热元件周围设置至少一条隔热渠道。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述加热元件
周围设置至少两条隔热渠道，所述第一条隔热渠道靠近所述等离子体加
热环与所述腔体盖的接触面，所述第二条隔热渠道靠近所述等离子体加
热环与所述腔体侧壁的接触面，所述两条隔热渠道大体平行。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述加热元件
周围还设置第三条隔热渠道，所述第三条隔热渠道大体垂直于所述第一
条隔热渠道和所述第二条隔热渠道。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第三条隔
热渠道设置于所述加热元件靠近反应腔外部空间的一侧。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装...

【专利技术属性】
技术研发人员：左涛涛，吴狄，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31