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本发明公开了一种等离子体处理装置,通过设置一带加热元件的等离子体加热环,实现对反应腔内的等离子体加热,满足刻蚀工艺对等离子体温度的要求;在所述加热元件的周围设置隔热渠道,将等离子体加热环的加热元件产生的热量与周围的部件和外部空间进行隔离,在...该专利属于中微半导体设备(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种等离子体处理装置,通过设置一带加热元件的等离子体加热环,实现对反应腔内的等离子体加热,满足刻蚀工艺对等离子体温度的要求;在所述加热元件的周围设置隔热渠道,将等离子体加热环的加热元件产生的热量与周围的部件和外部空间进行隔离,在...