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本发明公开了一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：淀积侧墙材料，将所述鳍部和栅极覆盖；步骤S03：对所述侧墙材料执行以沉积保护层...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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