Provide wafer processing methods. The wafer is separately formed in each area of the front divided by several intersecting predefined lines. The method includes: cutting groove formation process, cutting groove with depth equivalent to the thickness of the device chip through cutting tools along the cutting predefined line from the front side of the wafer; sealing process, using sealing material to seal the front of the wafer; grinding process, from the wafer. The back side grinds the wafer to the thickness of the device chip to expose the sealing material in the cutting groove; the alignment process detects the alignment marker by infrared photographing component from the front side of the wafer to the front side of the wafer through the sealing material. According to the alignment marker detection, the laser processing dividing predetermined line should be carried out; and the dividing process, from the front side of the wafer along the pre-dividing line. Laser beams with absorbable wavelength for sealing materials are irradiated by fixed lines. The wafers are divided into device chips with front and four sides surrounded by sealing materials by ablation processing.
【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法,对晶片进行加工而形成5S模制封装。
技术介绍
作为实现LSI或NAND型闪存等各种器件的小型化和高密度安装化的构造,例如,对器件芯片按照芯片尺寸进行封装而得的芯片尺寸封装(CSP)已被用于实际的使用中,并被广泛地使用于移动电话、智能手机等。此外,近年来,在该CSP中,开发并实用化了不仅利用密封材料将芯片的正面密封还将整个侧面密封的CSP,即,所谓的5S模制封装。以往的5S模制封装是通过以下工序制作的。(1)在半导体晶片(以下,有时大致称为晶片)的正面上形成被称为器件(电路)和凸块的外部连接端子。(2)从晶片的正面侧沿着分割预定线对晶片进行切削,形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽。(3)利用含有炭黑的密封材料将晶片的正面密封。(4)将晶片的背面侧磨削到器件芯片的完工厚度而使切削槽中的密封材料露出。(5)由于晶片的正面被含有炭黑的密封材料密封,所以将晶片正面的外周部分的密封材料去除而使目标图案等对准标记露出,实施根据该对准标记来检测待切削的分割预定线的对准。(6)根据对准,从晶片的正面侧沿着分割预定线对晶片进行切削,从而分割成正面和整个侧面被密封材料密封的5S模制封装。如上述那样,由于晶片的正面被包含炭黑的密封材料密封,所以形成于晶片正面的器件等完全无法用肉眼看到。为了解决该问题以便能够进行对准,如上述(5)所记载的那样,本申请人开发出如下的技术:将晶片正面的密封材料的外周部分去除而使目标图案等对准标记露出,根据该对准标记来检测待切削的分割预定线,从而执行对准(参照日本特开2013-074021号公报和日本特 ...
【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法,该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内分别形成有器件,该器件具有多个凸块,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:切削槽形成工序,从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过切削刀具来形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽;密封工序,在实施了该切削槽形成工序之后,利用密封材料将该晶片的包含该切削槽的正面密封;磨削工序,在实施了该密封工序之后,从该晶片的背面侧将该晶片磨削至该器件芯片的完工厚度而使该切削槽中的该密封材料露出;对准工序,在实施了该磨削工序之后,通过红外线拍摄构件从该晶片的正面侧透过该密封材料对晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记,根据该对准标记来检测应进行激光加工的该分割预定线;以及分割工序,在实施了该对准工序之后,从该晶片的正面侧沿着该分割预定线照射对于该密封材料具有吸收性的波长的激光束,通过烧蚀加工将该晶片分割成正面和4个侧面被该密封材料围绕的各个器件芯片,在该密封工序中,通过具有使该红外线拍摄构件所接受的红外线透过的透过性的密封材料对该晶片的正面进行密封。
【技术特征摘要】
2017.09.08 JP 2017-1728351.一种晶片的加工方法,该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内分别形成有器件,该器件具有多个凸块,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:切削槽形成工序,从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过切削刀具来形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽;密封工序,在实施了该切削槽形成工序之后,利用密封材料将该晶片的包含该切削槽的正面密封;磨削工序,在实施了该密封工序之后,从该晶片的背面侧将该晶片磨削至该器件芯片的完工厚度而使该切削槽中的该密封材料露出;对...
【专利技术属性】
技术研发人员:铃木克彦,伴祐人,
申请(专利权)人:株式会社迪思科,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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