半导体装置结构制造方法及图纸

提供一种集成电路以用于闪存装置，其于选择栅极结构与存储栅极结构之间具有扩大空间。在选择栅极结构形成角落凹陷可得到扩大空间，并缩小选择栅极结构的上表面尺寸。在一例中，半导体基板具有存储器装置形成其上，且存储器装置包含的半导体基板具有存储器装置形成其上。存储器装置包含多个选择栅极结构，以及与选择栅极结构相邻的多个存储栅极结构，其中至少一选择栅极结构具有凹陷角落形成于至少一选择栅极结构的上表面之下。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构
本专利技术实施例关于存储器装置，更特别关于其选择栅极结构的凹陷角落。
技术介绍
如何形成可信的半次微米与更小的结构，属于下一世代半导体装置的超大规模集成电路与极大规模集成电路的关键技术挑战。随着电路技术极限推进，超大规模集成电路与极大规模集成电路的尺寸缩小，且对制程能力的需求增加。超大规模集成电路与极大规模集成电路的成功，以及增加个别基板与晶粒的电路密度与品质的持续努力，其重点在于形成可信的栅极结构于基板上。闪存体为电子非挥发性计算机储存媒体，其可电性抹除与再程式化。闪存体已广泛应用于商业与军事电子装置及设备中。闪存体包含存储器的可定址阵列以储存信息，且上述存储器由浮置栅极晶体管组成。闪存体的种类一般包含堆叠栅极存储器与分离栅极存储器。分离栅极存储器在许多方面优于堆叠栅极存储器，比如能耗较低、注入效率较高、短通道效应的影响较少、以及免于过抹除。然而随着装置尺寸持续缩小，栅极存储器中的短距会造成漏电流。如此一来，需安排栅极存储器中的距离与尺寸，使装置结构具有所需电性效能。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的半导体装置结构，包括：半导体基板，具有存储器装置形成其上，且存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置结构，包括：一半导体基板，具有一存储器装置形成其上，且该存储器装置包括：多个选择栅极结构；以及多个存储栅极结构，与该些选择栅极结构相邻，其中至少一该些选择栅极结构具有一角落凹陷低于至少一该些选择栅极结构的上表面。

【技术特征摘要】
2017.09.01 US 15/694,6111.一种半导体装置结构，包括：一半导体基板，具有一存储器装置形成其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈胜捷，刘铭棋，刘世昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71