三维存储器以及形成三维存储器的方法技术

本发明专利技术提供了一种三维存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和间隔层；沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的栅极层和间隔层的沟道孔；以及位于所述沟道孔内沿所述沟道孔的径向由外向内的方向依次设置的栅介质层和存储器层。本发明专利技术的三维存储器中的栅极层和间隔层之间没有栅介质层，这有利于栅极层的填充，可以降低栅极层的阻值。另外，由于相邻的栅极层之间不存在栅介质层，减少了相邻的栅极层间的介电常数，降低了栅极层间的电阻‑电容延迟效应以及耦合效应。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器以及形成三维存储器的方法
本专利技术主要涉及半导体领域，尤其涉及一种三维存储器以及形成三维存储器的方法。
技术介绍
随着市场对存储密度要求的不断提高，二维存储器关键尺寸缩小已经到了规模量产技术上的极限，为了进一步提高存储容量、降低成本，提出了三维结构的存储器。为提高存储密度，一般通过增加三维存储器中的堆叠层数来实现。此时，堆叠层单层厚度会适当减薄以减少应力影响。然而，较小的栅极沟槽尺寸会导致金属栅极填充时，栅极沟槽开口容易堵塞，导致金属栅极填充不完全，金属栅极层阻值升高，进而影响存储器件性能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种三维存储器以及形成三维存储器的方法，其能够降低栅极层的阻值。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种三维存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和间隔层；沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的栅极层和间隔层的沟道孔；以及位于所述沟道孔内沿所述沟道孔的径向由外向内的方向依次设置的栅介质层和存储器层。在本专利技术的一实施例中，所述栅介质层在所述沟道孔内是连续分布的。在本专利技术的一实施例中，所述栅介质层包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和间隔层；沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的栅极层和间隔层的沟道孔；以及位于所述沟道孔内沿所述沟道孔的径向由外向内的方向依次设置的栅介质层和存储器层。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和间隔层；沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的栅极层和间隔层的沟道孔；以及位于所述沟道孔内沿所述沟道孔的径向由外向内的方向依次设置的栅介质层和存储器层。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅介质层在所述沟道孔内是连续分布的。3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅介质层包括高介电常数介质层。4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述高介电常数介质层的介电常数大于或等于7。5.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述栅介质层包括氧化铝层、氧化铪层和氮氧化硅层中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括设置于所述栅极层与所述栅介质层以及所述栅极层与所述间隔层之间的金属阻挡层。7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述金属阻挡层与所述栅介质层和所述间隔层分别直接接触。8.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述金属阻挡层包括能够阻挡金属离子扩散并且具有导电性的材料层。9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述存储器层包括沿所述沟道孔的径向由外向内的方向依次设置的电荷阻挡层、电荷俘获层和隧穿层。10.一种形成三维存储器的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替...

【专利技术属性】
技术研发人员：王启光，靳磊，李达，许锋，刘红涛，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42