半导体存储器制造技术

半导体存储器，涉及存储器技术。本发明专利技术包括：至少两个导电条层，每个导电条层包括至少3条并列的导电条；设置于同层且相邻两个导电条之间的立柱，立柱的轴线与导电条的轴线的夹角大于30°；在立柱和导电条交叉处设置有存储单元，所述存储单元包括第一导电类型区、第二导电类型区和设置于第一导电类型区与第二导电类型区之间的绝缘介质区；立柱沿其轴线方向设置有立柱导电区，立柱导电区与存储单元的第一导电类型区形成电连接；导电条沿其轴线设置有导电材料区，导电材料区与存储单元的第二导电类型区形成电连接。本发明专利技术具有存储密度高，成本低，可靠性高的特点。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器
本专利技术涉及存储器技术。
技术介绍
现有技术包括可擦除可编程只读存储器(EPROM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，闪存，NAND-快闪存储器，硬磁盘、光盘(CD)、数字通用光盘(DVD)，蓝光光盘协会注册的蓝光光盘等在内的各种数字存储技术，50余年来已经广泛用于数据存储。然而，存储介质的寿命通常小于5年到10年。针对大数据存储而开发的反熔丝存储技术，因其非常昂贵且存储密度低，不能满足海量数据存储的需求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种高密度、低成本的半导体存储器。本专利技术解决所述技术问题采用的技术方案是，半导体存储器，其特征在于：至少两个导电条层，每个导电条层包括至少3条并列的导电条；设置于同层且相邻两个导电条之间的立柱，立柱的轴线与导电条的轴线的夹角大于30°；在立柱和导电条交叉处设置有存储单元，所述存储单元包括第一导电类型区、第二导电类型区和设置于第一导电类型区与第二导电类型区之间的绝缘介质区；立柱沿其轴线方向设置有立柱导电区，立柱导电区与存储单元的第一导电类型区形成电连接；导电条沿其轴线设置有导电材料区，导电材料区与存储单元的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体存储器，其特征在于，包括：至少两个导电条层，每个导电条层包括至少3条并列的导电条；设置于同层且相邻两个导电条之间的立柱，立柱的轴线与导电条的轴线的夹角大于30°；在立柱和导电条交叉处设置有存储单元，所述存储单元包括第一导电类型区、第二导电类型区和设置于第一导电类型区与第二导电类型区之间的绝缘介质区；立柱沿其轴线方向设置有立柱导电区，立柱导电区与存储单元的第一导电类型区形成电连接；导电条沿其轴线设置有导电材料区，导电材料区与存储单元的第二导电类型区形成电连接；所述第一导电类型区和第二导电类型区的材质分别为掺杂类型相异的两种半导体材料；或者，第一导电类型区和第二导电类型区的材质分别为符合...

【技术特征摘要】
1.半导体存储器，其特征在于，包括：至少两个导电条层，每个导电条层包括至少3条并列的导电条；设置于同层且相邻两个导电条之间的立柱，立柱的轴线与导电条的轴线的夹角大于30°；在立柱和导电条交叉处设置有存储单元，所述存储单元包括第一导电类型区、第二导电类型区和设置于第一导电类型区与第二导电类型区之间的绝缘介质区；立柱沿其轴线方向设置有立柱导电区，立柱导电区与存储单元的第一导电类型区形成电连接；导电条沿其轴线设置有导电材料区，导电材料区与存储单元的第二导电类型区形成电连接；所述第一导电类型区和第二导电类型区的材质分别为掺杂类型相异的两种半导体材料；或者，第一导电类型区和第二导电类型区的材质分别为符合产生肖特基接触所需的两种肖特基材料；各导电条与各立柱皆设置有电路接口，用于与外部电路连接。2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述立柱按M×N行列排列，M和N皆为大于2的整数，同列的立柱设置于同层且相邻的两条导电条之间。3.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，各立柱的轴线相互平行且垂直于导电条的轴线，同层的各导电条的轴线相互平行。...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭泽忠，
申请(专利权)人：成都皮兆永存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51