半导体存储装置及其的形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体存储装置及其的形成方法，其中，半导体存储装置包含多个主动区、多个栅极、多个位线、多个位线插塞以及多个盖层。多个主动区是定义于基底上，而多个栅极是设置在基底内。另一方面，多个位线则是设置在基底上，且部分位线的下方分别设置有多个位线插塞。多个盖层是设置在多个栅极之上，多个盖层包含多个绝缘部，其是突出于基底与位线插塞的顶表面，并介于各位线之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置及其的形成方法
本专利技术涉及一种半导体存储装置的制作工艺，特别是一种动态随机处理存储器装置的制作工艺。
技术介绍
随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)装置的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。一般来说，动态随机存取存储器是由数目庞大的存储单元(memorycell)聚集形成一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元可由一晶体管元件与一电荷贮存装置串联组成，以接收来自于字符线(wordline,WL)及位线(bitline,BL)的电压信号。因应产品需求，阵列区中的存储单元密度须持续提升，造成相关制作工艺与设计上的困难度与复杂度不断增加。因此，现有技术还待进一步改良以有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种半导体存储装置，其是在各字符线上方设置一盖层，且该盖层具有多个突设的绝缘部，该些绝缘部可突出于基底并介于各位线之间，使该半导体存储装置能维持一定的效能。本专利技术的另一目的在于提供一种半导体存储装置的形成方法，其是在各位线形成之前，即先形成各位线与各本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：多个主动区，该些主动区是定义于一基底上；多个栅极，设置在该基底内；多个位线，设置在该基底上；多个位线插塞，分别设置在部分位线的下方；以及多个盖层，设置在该些栅极上，各该盖层包含突出于该基底的多个绝缘部，该些绝缘部介于各该位线之间，且该些绝缘部的顶表面高于该些位线插塞的顶表面。

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：多个主动区，该些主动区是定义于一基底上；多个栅极，设置在该基底内；多个位线，设置在该基底上；多个位线插塞，分别设置在部分位线的下方；以及多个盖层，设置在该些栅极上，各该盖层包含突出于该基底的多个绝缘部，该些绝缘部介于各该位线之间，且该些绝缘部的顶表面高于该些位线插塞的顶表面。2.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该些绝缘部的该顶表面与该些位线的顶表面齐平。3.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该些位线延伸于一方向上，该些绝缘部延伸于一另一方向上，且该另一方向垂直与该方向。4.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包含：设置于该基底上的多个插塞。5.依据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，该些绝缘部在一第一方向上设置在该些插塞与该些位线之间。6.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包含：间隙壁，设置在各该位线两侧。7.依据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，该间隙壁还设置在各该绝缘部两侧。8.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包含：浅沟槽隔离，设置于该基底内，该浅沟槽隔离环绕该些主动区。9.一种半导体存储装置的形成方法，其特征在于包含：在一基底内形成一浅沟槽隔离，而在该基底内定义多个主动区；在该基底上形成一掩模层，该掩模层覆盖该些主动区与该些浅沟槽隔离；在该掩模层与该基底内形成多个沟槽；在该些沟槽内分别形成多个栅极；在该些栅极上形成一绝缘层，该绝缘层填满该些沟槽；移除一...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，王嫈乔，何建廷，童宇诚，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71