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本发明公开一种半导体存储装置及其的形成方法，其中，半导体存储装置包含多个主动区、多个栅极、多个位线、多个位线插塞以及多个盖层。多个主动区是定义于基底上，而多个栅极是设置在基底内。另一方面，多个位线则是设置在基底上，且部分位线的下方分别设置有...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。