半导体存储器件和导体结构制造技术

提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之间。栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极和晶粒边界填塞层。晶粒边界填塞层可以在壁垒膜与金属栅极之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件和导体结构
专利技术构思涉及半导体存储器件，更具体地，涉及具有高器件可靠性的半导体存储器件和导体结构。
技术介绍
为了半导体器件的高度集成，正提议具有沿垂直方向三维布置的存储单元的垂直半导体器件。然而，此类半导体器件的结构正变得越来越复杂，并且由于复杂的结构，均匀地形成特定材料膜正变得更加困难。因此，可以探索用于形成材料膜的不同方式。
技术实现思路
专利技术构思涉及具有高器件可靠性的半导体存储器件。专利技术构思还涉及具有高器件可靠性的导体结构。根据专利技术构思的一些示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的多个栅电极结构、在所述多个栅电极结构之间的绝缘图案、穿透所述多个栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以在所述多个栅电极结构与垂直沟道之间。所述多个栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极、以及在壁垒膜与金属栅极之间的晶粒边界填塞(plugging)层。根据专利技术构思的一些示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的多个栅电极结构、在所述多个栅电极结构之间的绝缘图案、穿透所述多个栅电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括：衬底；堆叠在所述衬底上的多个栅电极结构，所述多个栅电极结构的每个包括壁垒膜、金属栅极和在所述壁垒膜与所述金属栅极之间的晶粒边界填塞层；在所述多个栅电极结构之间的绝缘图案；穿透所述多个栅电极结构和所述绝缘图案的垂直沟道，所述垂直沟道电连接到所述衬底；以及在所述多个栅电极结构与所述垂直沟道之间的数据存储图案。

【技术特征摘要】
2017.07.10 KR 10-2017-00872841.一种半导体存储器件，包括：衬底；堆叠在所述衬底上的多个栅电极结构，所述多个栅电极结构的每个包括壁垒膜、金属栅极和在所述壁垒膜与所述金属栅极之间的晶粒边界填塞层；在所述多个栅电极结构之间的绝缘图案；穿透所述多个栅电极结构和所述绝缘图案的垂直沟道，所述垂直沟道电连接到所述衬底；以及在所述多个栅电极结构与所述垂直沟道之间的数据存储图案。2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述壁垒膜包括多晶金属氮化物。3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中所述晶粒边界填塞层在晶粒之间的界面处包含氧。4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述晶粒边界填塞层的晶粒之间的界面处的氧成原子、分子、离子、自由基或金属氧化物的形式。5.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述晶粒边界填塞层的晶粒之间的所述界面中存在的氧经由原子探针层析技术可观察到。6.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述壁垒膜包括晶粒，以及所述晶粒边界填塞层的晶粒与所述壁垒膜的晶粒相同。7.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中金属氮化物的至少一个晶粒跨越所述壁垒膜和所述晶粒边界填塞层存在。8.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中金属氮化物的至少一个晶粒贯穿所述壁垒膜和所述晶粒边界填塞层的总体厚度而存在。9.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述壁垒膜和所述晶粒边界填塞层包括金属氮化物的晶粒，该金属氮化物的晶粒贯穿所述壁垒膜和所述晶粒边界填塞层的总体厚度分布，沿着所述晶粒边界填塞层中的晶粒之间的界面存在氧，以及沿着所述壁垒膜中的晶粒之间的界面不存在氧，以及所述壁垒膜中的晶粒之间的界面从所述晶粒边界填塞层中的晶粒之间的界面连续地延伸。10.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中所述金属氮化物包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩赫，朴济宪，金度亨，金台镛，李根，李正吉，林炫锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR