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提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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