分栅SONOS的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种分栅SONOS的制造方法，形成ONO层后，依次淀积第一多晶硅层、氮化硅层，刻蚀氮化硅层并在其侧面形成氧化层侧墙，刻蚀第一多晶硅层；形成SONOS存储管的源端，淀积第二多晶硅层，该第二多晶硅层直接和硅衬底连接，在第二多晶硅层顶部形成氧化层，湿法去除氮化硅层并再次刻蚀第一多晶硅层，热氧化形成逻辑区晶体管栅氧化层和选择管栅氧化层，同时在第一多晶硅层侧面形成热氧化层侧墙。淀积第三多晶硅层并刻蚀，同时形成SONOS存储管的多晶硅栅和逻辑区多晶硅栅。本发明专利技术能节省芯片面积，降低制造成本。

Manufacturing method of gate SONOS

The invention discloses a manufacturing method of split gate SONOS. After forming ONO layer, the first polycrystalline silicon layer and silicon nitride layer are deposited successively, the silicon nitride layer is etched, and the oxide layer side wall is formed on its side, and the first polycrystalline silicon layer is etched; the source end of SONOS storage tube is formed, and the second polycrystalline silicon layer is deposited. The second polycrystalline silicon layer is directly connected with the silicon substrate, and oxidation is formed on the top of the second polycrystalline silicon layer. The first polycrystalline silicon layer is etched again after removing the silicon nitride layer by wet method. Thermal oxidation forms the gate oxide layer of logic region transistor and the selective gate oxide layer. At the same time, the side wall of the thermal oxide layer is formed on the side of the first polycrystalline silicon layer. The third polycrystalline silicon layer is deposited and etched, and the polycrystalline silicon gate and logic region polycrystalline silicon gate of SONOS storage tube are formed simultaneously. The invention can save chip area and reduce manufacturing cost.

【技术实现步骤摘要】
分栅SONOS的制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种分栅SONOS(Semiconductor-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor闪速存储器)的制造方法。
技术介绍
具有低操作电压、更好的COMS工艺兼容性的SONOS技术被广泛用于各种嵌入式电子产品如金融IC卡、汽车电子等应用。2-TSONOS(2Transistors，两个晶体管存储一个比特位的数据)技术由于其低功耗得到了很多应用的青睐。但是2-TSONOS结构与生俱来的缺点就是其较大的芯片面积损耗。相对于2-TSONOS，分栅的SONOS器件更省面积。如图1所示，现有的分栅SONOS在两个选择管之间有一接触孔将选择管的源端引出，为了避免光刻套偏，两个选择管之间的距离不能太小。因此传统的方法不利于进一步减小单个存储单元的面积。减小该距离就能有效的节省芯片面积。此外，现有的分栅SONOS的制造工艺方法中，存储管栅刻蚀后的长度依赖于光刻精度，因此不利于存储管栅的缩小。使用侧墙氧化层定义存储管栅的长度有利于继续缩短存储管的长度，进一步减小存储单元的面积。现有的分栅SONOS的制造工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种分栅SONOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在P型硅衬底上形成ONO层，在该ONO层上依次淀积第一多晶硅层和第一氮化硅层，光刻打开，刻蚀第一氮化硅层，在打开的第一氮化硅层的开口内淀积第一氧化层并刻蚀将第一多晶硅层暴露出来，在第一氮化硅层的开口侧面经淀积和回刻蚀形成氧化层侧墙；步骤2、以所述氧化硅侧墙为屏蔽层，自对准刻蚀第一多晶硅层，热氧化在第一多晶硅层侧面形成第一热氧化层，在P型硅衬底的上端进行离子注入形成SONOS存储管的源端，在第一热氧化层的侧面及ONO层的上端淀积第二氧化层，自对准依次回刻蚀第二氧化层、刻蚀ONO层，将已进行离子注入的P型硅衬底暴露出来；步骤3、在...

【技术特征摘要】
1.一种分栅SONOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在P型硅衬底上形成ONO层，在该ONO层上依次淀积第一多晶硅层和第一氮化硅层，光刻打开，刻蚀第一氮化硅层，在打开的第一氮化硅层的开口内淀积第一氧化层并刻蚀将第一多晶硅层暴露出来，在第一氮化硅层的开口侧面经淀积和回刻蚀形成氧化层侧墙；步骤2、以所述氧化硅侧墙为屏蔽层，自对准刻蚀第一多晶硅层，热氧化在第一多晶硅层侧面形成第一热氧化层，在P型硅衬底的上端进行离子注入形成SONOS存储管的源端，在第一热氧化层的侧面及ONO层的上端淀积第二氧化层，自对准依次回刻蚀第二氧化层、刻蚀ONO层，将已进行离子注入的P型硅衬底暴露出来；步骤3、在步骤2已形成的器件上端淀积第二多晶硅层，覆盖住器件的上端面，该第二多晶硅层5用来连接SONOS存储管的源端将其引出；步骤4、以第一氮化硅层为停止层进行CMP，将连接SONOS存储管的源端的第二多晶硅层区域之外的第二多晶硅层去掉；在剩余的第二多晶硅层顶部表面形成第二热氧化层；步骤5、湿法去除第一氮化硅层，以所述氧化层侧墙和第二热氧化层为屏蔽层，自对准依次刻蚀第一多晶硅层、SONOS存储管的ONO层；热氧化在P型硅衬底表面形成用于构成逻辑区晶体管的栅氧化层、选择管栅氧化层的第三热氧化层，该热氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：许昭昭，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31