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本发明公开了一种分栅SONOS的制造方法，形成ONO层后，依次淀积第一多晶硅层、氮化硅层，刻蚀氮化硅层并在其侧面形成氧化层侧墙，刻蚀第一多晶硅层；形成SONOS存储管的源端，淀积第二多晶硅层，该第二多晶硅层直接和硅衬底连接，在第二多晶硅层顶...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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