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半导体存储器，涉及存储器技术。本发明包括：至少两个导电条层，每个导电条层包括至少3条并列的导电条；设置于同层且相邻两个导电条之间的立柱，立柱的轴线与导电条的轴线的夹角大于30°；在立柱和导电条交叉处设置有存储单元，所述存储单元包括第一导电类...
该专利属于成都皮兆永存科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都皮兆永存科技有限公司授权不得商用。

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