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本发明提供了一种三维存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和间隔层；沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的栅极层和间隔层的沟道孔；以及位于所述沟道孔内沿所述沟道孔的径向由外向内的方向依次设置的栅介质层和...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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