【技术实现步骤摘要】
湿法刻蚀装置
本专利技术涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及湿法刻蚀装置。
技术介绍
湿法工艺早期主要采用槽式设备批量作业，生产效率高，也可以满足工艺要求。然而随着半导体工艺不断的发展，晶圆尺寸逐渐的不断增大，芯片的最小线宽也由微米级逐渐向纳米级过渡。由于其工艺能力和均匀性已无法满足更为严格的工艺要求，槽式湿法设备在高端半导体产品制造中渐渐退出历史舞台。单片晶圆湿法刻蚀设备，由于其工艺效果以及均匀性高的特点，逐渐成为了半导体制造中的主流湿法设备。现有单片晶圆湿法刻蚀装置在工作过程中，晶圆被吸在旋转平台上，旋转平台带着晶圆降到刻蚀腔室内，试剂从刻蚀腔室上方喷洒，同时旋转平台带动晶圆旋转，保证试剂覆盖整个晶圆表面的同时也可以通过离心力将试剂甩到刻蚀腔室外围试剂回收管路。在这个过程中，试剂在晶圆表面上停留的时间有限，且目前工艺的关键尺寸不断减小，使用这种刻蚀或清洗方式时如果刻蚀或清洗时间不够长，那可能会造成刻蚀或清洗不均匀的情况发生；虽然可以增长刻蚀或清洗时间避免这种情况，但是机台的产能会降低。
技术实现思路
本专利技术技术方案要解决的技术问题是提供一种湿法刻蚀装置，用较短时...
【技术保护点】
1.一种湿法刻蚀装置，其特征在于，包括：刻蚀腔室；旋转平台，位于所述刻蚀腔室内，用于承载晶圆；试剂收集平台，位于所述刻蚀腔室的内侧壁，且凸出设置；试剂挡块，设置于所述试剂收集平台上，且位于所述旋转平台外围，用于阻挡试剂流出。
【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀装置，其特征在于，包括：刻蚀腔室；旋转平台，位于所述刻蚀腔室内，用于承载晶圆；试剂收集平台，位于所述刻蚀腔室的内侧壁，且凸出设置；试剂挡块，设置于所述试剂收集平台上，且位于所述旋转平台外围，用于阻挡试剂流出。2.如权利要求1所述湿法刻蚀装置，其特征在于，所述试剂挡块为可充气式装置或可伸缩式装置。3.如权利要求2所述湿法刻蚀装置，其特征在于，当所述试剂挡块为可充气式装置时，还包括充气泵及充气管道，所述充气泵通过所述充气管道与所述试剂挡块连接。4.如权利要求3所述湿法刻蚀装置，其特征在于，所述充气管道贯通于所述刻蚀腔室侧壁。5.如权利要求2所述湿法刻蚀装置，其特征在于，当所述试剂挡块为可伸缩式装置时，还包括伸缩控制模块，所述伸缩控制模块用于控制所述试剂挡块的伸缩。6...
【专利技术属性】
技术研发人员：张杰真，刘命江，方桂芹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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