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本发明技术方案公开了一种湿法刻蚀装置，包括：刻蚀腔室；旋转平台，位于所述刻蚀腔室内，用于承载晶圆；试剂收集平台，位于所述刻蚀腔室的内侧壁，且凸出设置；试剂挡块，设置于所述试剂收集平台上，且位于所述旋转平台外围，用于阻挡试剂流出。保证在较短的...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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