半导体封装以及半导体封装的制造方法技术

提供半导体封装以及半导体封装的制造方法，在抑制成本增加的同时使布线层的接地布线与封装侧面的屏蔽层可靠地接触。一种半导体封装(10)，该半导体封装(10)是使半导体芯片(21)与从侧面露出有接地布线(17)的再布线层(11)连接并利用树脂层(12)对半导体芯片进行密封而构成的，其中，该半导体封装(10)具有：接触金属(28)，其形成在再布线层的侧面，将接地布线覆盖；以及屏蔽层(25)，其以覆盖接触金属的方式形成在封装上表面(22)上和封装侧面(23)上，屏蔽层借助接触金属在再布线层的侧面与接地布线连接。

Manufacturing Method of Semiconductor Packaging and Semiconductor Packaging

Provides manufacturing methods for semiconductor packaging and semiconductor packaging, while restraining cost increases, makes the grounding wiring of the wiring layer reliably contact the shielding layer on the side of the package. A semiconductor package (10) is composed of a semiconductor chip (21) connected to a rewiring layer (11) with a grounding wiring (17) exposed from the side and sealed by a resin layer (12). The semiconductor package (10) has a contact metal (28) formed on the side of the rewiring layer to cover the grounding wiring; and a shielding layer (25). The shielding layer is formed on the upper surface (22) of the package and on the side (23) of the package by covering the contact metal. The shielding layer is connected with the grounding wiring on the side of the re-wiring layer by means of the contact metal.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装以及半导体封装的制造方法
本专利技术涉及具有屏蔽功能的半导体封装以及半导体封装的制造方法。
技术介绍
通常，在用于移动电话等移动通信设备的半导体封装中，为了防止对通信特性造成不良影响而希望抑制来自半导体封装的电磁噪声的泄漏。作为半导体封装，公知有如下的半导体封装：利用树脂(密封剂)将搭载在布线层上的半导体芯片密封，沿着树脂层的外表面形成屏蔽层(例如，参照专利文献1)。屏蔽层有时由金属板屏蔽构造形成，但因板厚变大而成为阻碍设备小型化和薄型化的主要原因。因此，提出了通过溅射法、喷涂法、CVD(chemicalVaporDeposition：化学气相沉积)法、喷墨法、丝网印刷法等来较薄地形成屏蔽层的技术。专利文献1：日本特开2012-039104号公报近年来，作为半导体封装，开发出如下的半导体封装：将布线从半导体芯片引出至封装下表面而使再布线层形成得较薄。为了释放电磁噪声而使封装侧面的屏蔽层与再布线层的接地布线连接，但由于布线层较薄，所以有可能在屏蔽层与接地布线之间产生接触不良。也可以在封装内形成厚度较厚的柱形电极，将厚度较厚的布线从柱形电极引出至封装侧面，使接地布线借助柱形电极与封装侧面的屏蔽层可靠地接触，但存在制造成本较高的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提供能够在抑制成本增加的同时使布线层的接地布线与封装侧面的屏蔽层可靠地接触的半导体封装以及半导体封装的形成方法。根据本专利技术的一个方面，提供半导体封装，其是使芯片与在侧面露出有接地布线的再布线层连接并利用密封剂进行密封而构成的，其中，该半导体封装具有：接触金属，其形成在该再布线层的侧面，至少覆盖该接地布线；以及屏蔽层，其形成在该接触金属的表面上和该密封剂的表面上，该屏蔽层借助该接触金属而与该再布线层的侧面的该接地布线连接。根据该结构，即使再布线层形成得较薄，但由于在再布线层的侧面以至少覆盖接地布线的方式形成接触金属，所以接触金属与屏蔽层的接触面积增加，能够将接地布线与封装侧面的屏蔽层可靠地连接。并且，通过在再布线层的侧面形成接触金属这样的简单的结构，与在封装内形成柱形电极的相比能够抑制成本的增加。根据本专利技术的另一方面，提供半导体封装的制造方法，制造出权利要求1所述的半导体封装，该制造方法具有如下的步骤：保持步骤，将在由形成于再布线层的交叉的多条分割预定线划分出的各区域内连接有芯片并利用密封剂进行了统一密封的封装基板的该密封剂侧保持在保持部件上；槽形成步骤，在实施了该保持步骤之后，利用槽形成单元从该再布线层侧沿着该分割预定线切入到对该再布线层的至少该接地布线进行分割的深度，形成第1宽度的槽；接触金属填充步骤，在实施了该槽形成步骤之后，向该槽中填充对于该接地布线和该屏蔽层双方具有导电性的接触金属；单片化步骤，在实施了该接触金属填充步骤之后，使用比该第1宽度窄的第2宽度的分割单元沿着该槽从该再布线层侧切入到该保持部件的中途，对该接触金属进行分割并且单片化成各封装；以及屏蔽层形成步骤，在实施了该单片化步骤之后，从该密封剂侧上方对导电性材料进行成膜处理，在该半导体封装的侧面上和该密封剂的上表面上形成屏蔽层。根据本专利技术，通过在再布线层的侧面以覆盖接地布线的方式形成接触金属，能够在抑制成本增加的同时借助接触金属将接地布线与封装侧面的屏蔽层可靠地连接。附图说明图1是本实施方式的半导体封装的剖视示意图。图2的(A)和(B)是比较例的半导体封装的剖视示意图。图3的(A)、(B)和(C)是示出本实施方式的半导体封装的制造方法的剖视示意图。图4的(A)、(B)和(C)是示出本实施方式的半导体封装的制造方法的剖视示意图。图5是示出半导体封装的制造方法的变形例的剖视示意图。图6是示出半导体封装的变形例的剖视示意图。标号说明10：半导体封装；11：再布线层；12：树脂层(密封剂)；15：封装基板；17：接地布线；21：半导体芯片；22：封装上表面；23：封装侧面；25：屏蔽层；27：再布线层的槽；28：接触金属；31：基质(保持单元)；33：切削刀具(槽形成单元)；35：切削刀具(分割单元)；t1：第1宽度；t2：第2宽度。具体实施方式以下，参照附图对本实施方式的半导体封装的制造方法进行说明。图1是本实施方式的半导体封装的剖视示意图。图2是比较例的半导体封装的说明图。另外，以下的实施方式只不过是示出了一例，在各步骤之间可以具有其他步骤，也可以适当地更换步骤的顺序。如图1所示，半导体封装10是所谓的扇出晶片级封装等的半导体装置，与芯片尺寸相比将再布线区域加宽而形成。半导体封装10是通过在再布线层11上连接半导体芯片21并利用树脂层(密封剂)12对半导体芯片21进行密封而构成的。在该半导体封装10中未设置布线基板，再布线层11按照几μm到几十μm的厚度形成，因此布线长度较短，传送速度较高，并且封装整体的厚度得以薄化。并且，由于不需要接合用的引线，所以抑制了制造成本。半导体芯片21是按照每个器件对半导体晶片进行单片化而形成的。并且，内部包含了半导体芯片21的半导体封装10的封装上表面22以及封装侧面23被屏蔽层25覆盖。关于屏蔽层25，通过溅射法等对半导体封装10从上方进行成膜。另外，虽然封装侧面23是垂直的，但通过充分地空出半导体封装10的间隔而形成屏蔽层25，从而能够形成希望厚度的屏蔽层25。通过该屏蔽层25来抑制来自半导体封装10的电磁噪声的泄漏。另外，通常如图2的(A)的比较例的半导体封装60所示，为了释放电磁噪声而使封装侧面62的屏蔽层64在再布线层61的侧面与接地布线63连接。但是，由于再布线层61的厚度较薄，所以容易引起再布线层61内的接地布线63与屏蔽层64的接触不良。特别是在拾取半导体封装60时，当以屏蔽层64的飞边部分为起点在封装侧面62产生膜剥离时，在再布线层61的侧面屏蔽层64从接地布线63分离而产生接触不良。并且，也考虑了如图2的(B)的其他比较例的半导体封装70所示，将厚度较厚的布线73从再布线层71引出至封装侧面72的结构。在半导体芯片75的侧方，在再布线层71上设置柱形电极76，将布线73从柱形电极76的上部引出至侧方，在比再布线层71靠上侧的位置设置接触点。能够通过厚度较厚的布线73来提高屏蔽层77与接地布线73的接触性。但是，为了形成柱形电极76而必须实施光致抗蚀工序或蚀刻工序等，加工量增加而使制造成本变高。因此，如图1所示，在本实施方式中，在再布线层11的侧面设置接触金属28，借助接触金属28将从再布线层11的侧面露出的接地布线17与封装侧面23的屏蔽层25连接。通过增加接触金属28与屏蔽层25的接触面积，能够提高接触性并且提高屏蔽层25的耐剥离性。并且，不需要如上述的比较例那样形成柱形电极76(参照图2的(B))，因此不需要实施光致抗蚀工序或抗蚀工序等，能够将加工量的增加抑制为最小限度而抑制制造成本的增加。以下，参照图3和图4对本实施方式的半导体封装的形成方法进行说明。其中，图3的(A)是示出保持步骤的一例的图，图3的(B)是示出槽形成步骤的一例的图，图3的(C)是示出接触金属填充步骤的一例的图。并且，图4的(A)是示出单片化步骤的一例的图，图4的(B)和图4的(C)是示出屏蔽层形成步骤的一例的图。如图3的(A)所示，首本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，其是使芯片与在侧面露出有接地布线的再布线层连接并利用密封剂进行密封而构成的，其中，该半导体封装具有：接触金属，其形成在该再布线层的侧面，至少覆盖该接地布线；以及屏蔽层，其形成在该接触金属的表面上和该密封剂的表面上，该屏蔽层借助该接触金属而与该再布线层的侧面的该接地布线连接。

【技术特征摘要】
2017.06.28 JP 2017-1260491.一种半导体封装，其是使芯片与在侧面露出有接地布线的再布线层连接并利用密封剂进行密封而构成的，其中，该半导体封装具有：接触金属，其形成在该再布线层的侧面，至少覆盖该接地布线；以及屏蔽层，其形成在该接触金属的表面上和该密封剂的表面上，该屏蔽层借助该接触金属而与该再布线层的侧面的该接地布线连接。2.一种半导体封装的制造方法，制造出权利要求1所述的半导体封装，该制造方法具有如下的步骤：保持步骤，将在由形成于再布线层的交叉的多条分割预定线划分出的各区域内连接有芯片并利用密封剂进行了统一密封的封装基...

【专利技术属性】
技术研发人员：张秉得，金永淑，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP