半导体封装以及半导体封装的制造方法技术

技术编号:20008465 阅读:36 留言:0更新日期:2019-01-05 19:22
提供半导体封装以及半导体封装的制造方法,在抑制成本增加的同时使布线层的接地布线与封装侧面的屏蔽层可靠地接触。一种半导体封装(10),该半导体封装(10)是使半导体芯片(21)与从侧面露出有接地布线(17)的再布线层(11)连接并利用树脂层(12)对半导体芯片进行密封而构成的,其中,该半导体封装(10)具有:接触金属(28),其形成在再布线层的侧面,将接地布线覆盖;以及屏蔽层(25),其以覆盖接触金属的方式形成在封装上表面(22)上和封装侧面(23)上,屏蔽层借助接触金属在再布线层的侧面与接地布线连接。

Manufacturing Method of Semiconductor Packaging and Semiconductor Packaging

Provides manufacturing methods for semiconductor packaging and semiconductor packaging, while restraining cost increases, makes the grounding wiring of the wiring layer reliably contact the shielding layer on the side of the package. A semiconductor package (10) is composed of a semiconductor chip (21) connected to a rewiring layer (11) with a grounding wiring (17) exposed from the side and sealed by a resin layer (12). The semiconductor package (10) has a contact metal (28) formed on the side of the rewiring layer to cover the grounding wiring; and a shielding layer (25). The shielding layer is formed on the upper surface (22) of the package and on the side (23) of the package by covering the contact metal. The shielding layer is connected with the grounding wiring on the side of the re-wiring layer by means of the contact metal.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装以及半导体封装的制造方法
本专利技术涉及具有屏蔽功能的半导体封装以及半导体封装的制造方法。
技术介绍
通常,在用于移动电话等移动通信设备的半导体封装中,为了防止对通信特性造成不良影响而希望抑制来自半导体封装的电磁噪声的泄漏。作为半导体封装,公知有如下的半导体封装:利用树脂(密封剂)将搭载在布线层上的半导体芯片密封,沿着树脂层的外表面形成屏蔽层(例如,参照专利文献1)。屏蔽层有时由金属板屏蔽构造形成,但因板厚变大而成为阻碍设备小型化和薄型化的主要原因。因此,提出了通过溅射法、喷涂法、CVD(chemicalVaporDeposition:化学气相沉积)法、喷墨法、丝网印刷法等来较薄地形成屏蔽层的技术。专利文献1:日本特开2012-039104号公报近年来,作为半导体封装,开发出如下的半导体封装:将布线从半导体芯片引出至封装下表面而使再布线层形成得较薄。为了释放电磁噪声而使封装侧面的屏蔽层与再布线层的接地布线连接,但由于布线层较薄,所以有可能在屏蔽层与接地布线之间产生接触不良。也可以在封装内形成厚度较厚的柱形电极,将厚度较厚的布线从柱形电极引出至封装侧面,使接地布线借助柱形电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装,其是使芯片与在侧面露出有接地布线的再布线层连接并利用密封剂进行密封而构成的,其中,该半导体封装具有:接触金属,其形成在该再布线层的侧面,至少覆盖该接地布线;以及屏蔽层,其形成在该接触金属的表面上和该密封剂的表面上,该屏蔽层借助该接触金属而与该再布线层的侧面的该接地布线连接。

【技术特征摘要】
2017.06.28 JP 2017-1260491.一种半导体封装,其是使芯片与在侧面露出有接地布线的再布线层连接并利用密封剂进行密封而构成的,其中,该半导体封装具有:接触金属,其形成在该再布线层的侧面,至少覆盖该接地布线;以及屏蔽层,其形成在该接触金属的表面上和该密封剂的表面上,该屏蔽层借助该接触金属而与该再布线层的侧面的该接地布线连接。2.一种半导体封装的制造方法,制造出权利要求1所述的半导体封装,该制造方法具有如下的步骤:保持步骤,将在由形成于再布线层的交叉的多条分割预定线划分出的各区域内连接有芯片并利用密封剂进行了统一密封的封装基...

【专利技术属性】
技术研发人员:张秉得金永淑
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:日本,JP

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