工艺腔制造技术

公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

Process cavity

A process chamber and a substrate treatment device including the process chamber are disclosed. The process chamber comprises a first shell and a second shell on the first shell. The first housing comprises a first outer wall, a first partition facing the first outer wall and a first side wall connecting the first outer wall and the first partition. The second housing comprises a second outer wall, a second partition between the second outer wall and the first partition, and a second side wall connecting the second outer wall and the second partition. Each of the first and second outer walls has a thickness greater than that of the first and second partitions.

【技术实现步骤摘要】
工艺腔
本专利技术构思涉及一种工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。
技术介绍
半导体制造工艺可以包括沉积工艺、蚀刻工艺、清洁工艺等。清洁工艺可以去除残留在衬底上的污染物。清洁工艺可以包括供应化学物质以去除衬底上的污染物的化学工艺、供应清洁溶液以去除衬底上的化学物质的冲洗工艺、以及干燥衬底上的残留清洁溶液的干燥工艺。化学工艺、冲洗工艺和干燥工艺可以顺序地进行。在干燥工艺中，工艺腔被供应有超临界流体以干燥残留在衬底上的清洁溶液。当执行干燥工艺时，工艺腔会具有由超临界流体引起的高的内部压强。因此，近来已经对能够承受高压强的工艺腔的结构进行了许多研究。
技术实现思路
本专利技术构思的一些实施方式提供能够承受高压强并同时具有多个隔室空间(compartmentspace)的紧凑尺寸的工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。本专利技术构思的一些实施方式提供一种工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置，其中处理效率被提高。本专利技术构思的目的不限于上述的目的，并且没有在以上提及的其它目的将从以下描述而被本领域技术人员清楚地理解。根据本专利技术构思的示例实施方式，一种工艺腔可以包括：第一壳体；以及在第一壳体上的第二壳体。第一壳体可以包括：第一外壁；面对第一外壁的第一分隔壁；以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体可以包括：第二外壁；在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁；以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个可以具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。根据本专利技术构思的示例实施方式，一种工艺腔可以包括：具有内部空间的壳体；以及至少一个分隔壁，在壳体中并将所述内部空间分成多个隔室空间。壳体可以包括：在所述至少一个分隔壁下面的第一外壁；在所述至少一个分隔壁之上的第二外壁；以及在第一外壁和第二外壁之间且连接到所述至少一个分隔壁的侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个可以具有比所述至少一个分隔壁的厚度大的厚度。根据本专利技术构思的示例实施方式，一种工艺腔可以包括：具有彼此分隔的多个隔室空间的壳体；在壳体下面的第一支撑壁；以及在壳体之上的第二支撑壁。壳体可以包括：与第一支撑壁接触的下壁；上壁，在下壁和第二支撑壁之间并与第二支撑壁接触；将下壁和上壁彼此连接的侧壁；以及在下壁和上壁之间且连接到侧壁的分隔壁。分隔壁可以具有小于第一支撑壁的厚度和下壁的厚度之和且小于第二支撑壁的厚度和上壁的厚度之和的厚度。根据本专利技术构思的示例实施方式，一种衬底处理装置可以包括：工艺腔，包括具有第一内部空间的第一壳体和具有第二内部空间的第二壳体，第二壳体堆叠在第一壳体上；第一衬底支撑构件，在第一内部空间中并配置为支撑衬底；第二衬底支撑构件，在第二内部空间中并配置为支撑衬底；流体供应部，配置为将流体供应到第一内部空间和第二内部空间中；以及流体排出部，配置为从第一内部空间和第二内部空间排出流体。第一壳体可以包括：第一外壁；面对第一外壁的第一分隔壁；以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体可以包括：第二外壁；在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁；以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一分隔壁和第二分隔壁中的每个可以具有比第一外壁的厚度和第二外壁的厚度小的厚度。其它示例实施方式的细节被包括在说明书和附图中。附图说明图1示出简化的透视图，其示出根据本专利技术构思的示例实施方式的衬底处理装置。图2示出方框图，其部分地示出图1的衬底处理装置。图3示出简化的分解透视图，其部分地示出一些部件可以与图1的衬底处理装置在结构上分离。图4示出简化的纵向截面图，其示出图1的衬底处理装置。图5示出放大图，其示出图4的部分A。图6示出放大图，其示出图4的部分B。图7示出简化的截面图，其示出图1的工艺腔。图8A至图8C示出简化的纵向截面图，其示出在图1的衬底处理装置中执行的衬底干燥工艺。图9示出简化的截面图，其示出向图8B的第一壳体的流体供应。图10示出简化的纵向截面图，其示出施加在工艺腔上的力，该工艺腔的图1的隔室空间处于高压强状态。图11示出简化的纵向截面图，其示出根据本专利技术构思的示例实施方式的衬底处理装置的示例。图12示出简化的截面图，其示出图11的工艺腔的示例。图13示出简化的透视图，其示出图11的工艺腔、门单元和固定构件。图14至图19示出简化的截面图，其示出图11的工艺腔中的流体连通。图20示出简化的纵向截面图，其示出根据本专利技术构思的示例实施方式的衬底处理装置的示例。图21示出示意图，其示出包括根据本专利技术构思的示例实施方式的衬底处理装置的半导体制造设备。具体实施方式这里将参照附图详细讨论本专利技术构思及其示例实施方式。图1示出简化的透视图，其示出根据本专利技术构思的示例实施方式的衬底处理装置。图2示出方框图，其部分地示出图1的衬底处理装置。图3示出简化的分解透视图，其部分地示出一些部件可以与图1的衬底处理装置在结构上分离。参照图1至图3，根据本专利技术构思的示例实施方式的衬底处理装置1可以使用超临界流体来执行衬底处理工艺，诸如干燥工艺、清洁工艺和蚀刻工艺。在一实施方式中，衬底处理装置1可以执行干燥工艺，其中采用超临界流体来干燥衬底。超临界流体可以通过溶解残留在衬底上的有机溶剂来干燥衬底。在下文将描述其中衬底处理装置1执行衬底干燥工艺的示例。衬底处理装置1可以包括工艺腔10、流体供应部或流体供应系统20以及流体排出部或流体排放系统30。衬底处理装置1还可以包括门或门单元40、固定构件60、衬底支撑件50和控制器70。工艺腔10可以提供其中执行衬底干燥工艺的多个隔室空间。多个隔室空间可以彼此分隔。工艺腔10可以包括穿过其的多个入口160。例如，入口160可以包括第一至第三入口161、163和165。每个入口160可以对应地连接到隔室空间中的一个。在此配置中，衬底(见图4的W)可以通过入口160被定位或接收到每个隔室空间中。工艺腔10可以包括壳体组件100和防护组件200。壳体组件100可以包括第一壳体101、第二壳体102和至少一个第三壳体103。第一壳体101、第三壳体103以及第二壳体102可以沿着第一方向D1顺序地堆叠。第一方向D1可以是竖直的或平行于上下方向。工艺腔10将在下面参照图4至图7进一步详细讨论。流体供应部20可以连接到工艺腔10。例如，流体供应部20可以通过供应管线25连接到第一壳体101、第二壳体102和第三壳体103。在一实施方式中，供应管线25可以连接到将在下面讨论的供应孔或通道170和下供应孔或通道(见图4的175)。流体供应部20可以将流体供应到隔室空间(见图4的S1、S2和S3)。流体可以处于超临界状态。术语“超临界状态”可以表示材料达到其温度和压强等于或大于临界点的临界状态，因此在气相和液相之间没有区别。处于超临界状态的材料可以具有与液体的分子密度相似的分子密度并具有与气体的粘度类似的粘度。由于其极高的扩散性、渗透性和溶解性，超临界材料可以具有化学反应的优点。此外，由于超临界材料可以具有非常低的表面张力而不足以在精细结构上施加界面张力，所以超临界材料可以防止图案倒塌并具有优异的干燥效率，从而可用于干燥半导体器件。超临界流体可以包括二氧化碳(CO2)、水(H2O)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、丙烷(C3H8)、乙烯(C2H本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺腔，包括：第一壳体；和第二壳体，在所述第一壳体上，其中所述第一壳体包括：第一外壁；第一分隔壁，面对所述第一外壁；和第一侧壁，连接所述第一外壁和所述第一分隔壁，其中所述第二壳体包括：第二外壁；第二分隔壁，在所述第二外壁和所述第一分隔壁之间；和第二侧壁，连接所述第二外壁和所述第二分隔壁，其中所述第一外壁和所述第二外壁中的每个具有比所述第一分隔壁的厚度和所述第二分隔壁的厚度大的厚度。

【技术特征摘要】
2017.06.19 KR 10-2017-00774261.一种工艺腔，包括：第一壳体；和第二壳体，在所述第一壳体上，其中所述第一壳体包括：第一外壁；第一分隔壁，面对所述第一外壁；和第一侧壁，连接所述第一外壁和所述第一分隔壁，其中所述第二壳体包括：第二外壁；第二分隔壁，在所述第二外壁和所述第一分隔壁之间；和第二侧壁，连接所述第二外壁和所述第二分隔壁，其中所述第一外壁和所述第二外壁中的每个具有比所述第一分隔壁的厚度和所述第二分隔壁的厚度大的厚度。2.根据权利要求1所述的工艺腔，其中所述第一壳体还包括：穿过所述第一壳体的至少一个第一供应通道；和穿过所述第一壳体的至少一个第一排出通道，所述第二壳体还包括：穿过所述第二壳体的至少一个第二供应通道；和穿过所述第二壳体的至少一个第二排出通道。3.根据权利要求2所述的工艺腔，其中所述第一分隔壁包括：面对所述第一外壁的第一壁表面；和面对所述第二分隔壁的第二壁表面，其中所述第二分隔壁包括：面对所述第二壁表面的第三壁表面；和面对所述第二外壁的第四壁表面，其中所述至少一个第一排出通道穿过所述第一外壁，其中所述至少一个第一供应通道包括：第一供应流动路径，从所述第一壁表面朝向所述第二壁表面延伸；和第二供应流动路径，从所述第一供应流动路径朝向所述第一侧壁延伸，其中所述至少一个第二供应通道穿过所述第二外壁，并且其中所述至少一个第二排出通道包括：第一排出流动路径，从所述第四壁表面朝向所述第三壁表面延伸；和第二排出流动路径，从所述第一排出流动路径朝向所述第二侧壁延伸。4.根据权利要求3所述的工艺腔，其中所述第一供应流动路径、所述第一排出流动路径、所述至少一个第二供应通道和所述至少一个第一排出通道彼此竖直地对准。5.根据权利要求2所述的工艺腔，其中所述至少一个第一供应通道包括沿着所述第一侧壁的周边提供的多个第一供应通道，所述至少一个第一排出通道包括沿着所述第一侧壁的周边提供的多个第一排出通道，所述至少一个第二供应通道包括沿着所述第二侧壁的周边提供的多个第二供应通道，所述至少一个第二排出通道包括沿着所述第二侧壁的周边提供的多个第二排出通道。6.根据权利要求5所述的工艺腔，其中所述多个第一排出通道中的一个面对所述多个第一供应通道中的一个，所述多个第二排出通道中的一个面对所述多个第二供应通道中的一个。7.根据权利要求6所述的工艺腔，还包括：第一防护构件，配置为关闭限定在所述第一侧壁中的第一入口并包括穿过所述第一防护构件的第一子供应通道；和第二防护构件，配置为关闭限定在所述第二侧壁中的第二入口并包括穿过所述第二防护构件的第二子供应通道，其中所述第一子供应通道面对所述多个第一排出通道中的另一个，并且其中所述第二子供应通道面对所述多个第二排出通道中的另一个。8.根据权利要求1所述的工艺腔，还包括在所述第一壳体与所述第二壳体之间的至少一个第三壳体，其中所述至少一个第三壳体包括：第三分隔壁；第四分隔壁，在所述第三分隔壁和所述第二壳体之间；和第三侧壁，连接所述第三分隔壁和所述第四分隔壁，其中所述第三分隔壁和所述第四分隔壁中的每个具有比所述第一外壁的厚度和所述第二外壁的厚度小的厚度。9.根据权利要求8所述的工艺腔，其中所述第一分隔壁、所述第二分隔壁、所述第三分隔壁和所述第四分隔壁具有相同的厚度。10.根据权利要求8所述的工艺腔，其中所述至少一个第三壳体还包括：至少一个第三供应通道，穿过所述至少一个第三壳体；和至少一个第三排出通道，穿过所述至少一个第三壳体。11.根据权利要求10所述的工艺腔，其中所述第三分隔壁包括：面对所述第一壳体的第五壁表面；和面对所述第四分隔壁的第六壁表面，其中所述至少一个第三排出通道包括：第三排出流动路径，从所述第五壁表面朝向所述第六壁表面延伸；和第四排出流动路径，从所述第三排出流动路径朝向所述第三侧壁延伸，其中所述第四分隔壁包括：面对所述第三分隔壁的第七壁表面；和面对所述第二壳体的第八壁表面，其中所述至少一个第三供应通道包括：第三供应流动路径，从所述第七壁表面朝向所述第八壁表面延伸；和第四供应流动路径，从所述第三供应流动路径朝向所述第三侧壁延伸。12.根据权利要求10所述的工艺腔，其中所述至少一个第三供应通道包括沿着所述第三侧壁的周边提供的多个第三供...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵庸真，金伶厚，郑志薰，金荣俊，吴政玟，李根泽，李晓山，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR