用于极紫外光辐射源设备的碎片收集装置制造方法及图纸

极紫外光(EUV)辐射源设备包含收集器、用于产生锡(Sn)液滴的目标液滴产生器、可旋转碎片收集装置、以及围住至少收集器和可旋转碎片收集装置的腔室。可旋转碎片收集装置包含第一端支撑件、第二端支撑件以及多个叶片，这些叶片的端部分别由第一端支撑件和第二端支撑件支撑。这些叶片中的至少一个的表面涂覆将SnH4还原为Sn的催化剂层。

Debris Collection Device for EUV Radiation Source Equipment

The EUV radiation source device includes a collector, a target droplet generator for producing tin (Sn) droplets, a rotary debris collection device, and a chamber enclosing at least one collector and a rotary debris collection device. The rotary debris collection device comprises a first end support, a second end support and a plurality of blades, whose ends are supported by the first end support and the second end support respectively. At least one of these blades is coated with a catalyst layer that reduces SnH4 to Sn.

【技术实现步骤摘要】
用于极紫外光辐射源设备的碎片收集装置
本专利技术实施例有关于半导体装置制造技术，且特别关于图案化形成方法和光微影设备。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业已经经历了指数型成长。集成电路(IC)的材料和设计上的技术进展已经产生了数个世代的集成电路(IC)，每一世代的集成电路(IC)皆比前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路(IC)演进的历程中，功能密度(亦即单位芯片面积的互连装置数量)普遍地增加，同时缩小几何尺寸(亦即使用生产制程可产生的最小组件(或线))。此尺寸缩减的制程通常通过提高生产效率和降低相关的成本而提供了一些益处。这样的尺寸缩减也增加了集成电路(IC)的制造和生产的复杂性。举例而言，执行较高解析度光微影制程的需求增加。一种光微影技术是极紫外光微影(extremeultravioletlithography，EUVL)。极紫外光微影(EUVL)采用扫描器，其使用在极紫外光(EUV)区的光，其波长约1至100纳米(nm)。一些极紫外光(EUV)扫描器提供4倍(4X)缩小投影印刷，其类似于一些光学扫描器，除了极紫外光(EUV)扫描器使用反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于极紫外光辐射源设备的碎片收集装置，包括：一第一端支撑件；一第二端支撑件；以及多个叶片，该些叶片的端部分别由该第一端支撑件和该第二端支撑件支撑，其中该些叶片中的至少一个的表面涂覆将氢化物还原的一催化剂层。

【技术特征摘要】
2017.06.27 US 62/525,570;2017.11.01 US 15/801,2251.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：简上杰，钟仁阳，吴尚颖，傅中其，陈立锐，郑博中，陈家桢，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71