用于极紫外光辐射源设备的碎片收集装置制造方法及图纸

极紫外光(EUV)辐射源设备包含收集器、用于产生锡(Sn)液滴的目标液滴产生器、可旋转碎片收集装置、以及围住至少收集器和可旋转碎片收集装置的腔室。可旋转碎片收集装置包含第一端支撑件、第二端支撑件以及多个叶片，这些叶片的端部分别由第一端支撑件和第二端支撑件支撑。这些叶片中的至少一个的表面涂覆将SnH4还原为Sn的催化剂层。

Debris Collection Device for EUV Radiation Source Equipment

The EUV radiation source device includes a collector, a target droplet generator for producing tin (Sn) droplets, a rotary debris collection device, and a chamber enclosing at least one collector and a rotary debris collection device. The rotary debris collection device comprises a first end support, a second end support and a plurality of blades, whose ends are supported by the first end support and the second end support respectively. At least one of these blades is coated with a catalyst layer that reduces SnH4 to Sn.

【技术实现步骤摘要】
用于极紫外光辐射源设备的碎片收集装置
本专利技术实施例有关于半导体装置制造技术，且特别关于图案化形成方法和光微影设备。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业已经经历了指数型成长。集成电路(IC)的材料和设计上的技术进展已经产生了数个世代的集成电路(IC)，每一世代的集成电路(IC)皆比前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路(IC)演进的历程中，功能密度(亦即单位芯片面积的互连装置数量)普遍地增加，同时缩小几何尺寸(亦即使用生产制程可产生的最小组件(或线))。此尺寸缩减的制程通常通过提高生产效率和降低相关的成本而提供了一些益处。这样的尺寸缩减也增加了集成电路(IC)的制造和生产的复杂性。举例而言，执行较高解析度光微影制程的需求增加。一种光微影技术是极紫外光微影(extremeultravioletlithography，EUVL)。极紫外光微影(EUVL)采用扫描器，其使用在极紫外光(EUV)区的光，其波长约1至100纳米(nm)。一些极紫外光(EUV)扫描器提供4倍(4X)缩小投影印刷，其类似于一些光学扫描器，除了极紫外光(EUV)扫描器使用反射光学而非折射光学，亦即使用反射镜而非透镜。一种极紫外光(EUV)源是激光引发等离子体(laser-producedplasma，LPP)。激光引发等离子体(LPP)技术通过将高能激光束聚焦于小锡液滴目标上来形成高度离子化等离子体，其发射出具有峰值最大发射(peakmaximumemission)在13.5纳米的极紫外光(EUV)，以产生极紫外光(EUV)。接着，通过激光引发等离子体(LPP)收集器聚集极紫外光(EUV)，并且通过光学器件朝向例如晶片的光微影目标反射极紫外光(EUV)。由于颗粒、离子、辐射以及最严重的是锡沉积的影响，导致激光引发等离子体(LPP)收集器受损和劣化。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供极紫外光(EUV)辐射源设备的碎片收集装置，此装置包含第一端支撑件、第二端支撑件以及多个叶片，第一端支撑件和第二端支撑件分别支撑这些叶片的端部，这些叶片中的至少一个的表面涂覆将氢化物还原的催化剂层。本专利技术的一些实施例提供极紫外光(EUV)辐射源设备，此设备包含收集器，目标液滴产生器用于产生锡(Sn)液滴，旋转碎片收集装置，以及腔室围住至少收集器和旋转碎片收集装置，其中旋转碎片收集装置包含第一端支撑件、第二端支撑件和多个叶片，第一端支撑件和第二端支撑件分别支撑这些叶片的端部，这些叶片中的至少一个的表面涂覆将SnH4还原为Sn的催化剂层。本专利技术的一些实施例提供极紫外光(EUV)辐射的产生方法，此方法包含以激光在氢气环境中照射锡液滴，从而产生极紫外光辐射，以及透过使用碎片收集装置将SnH4还原为Sn，从而收集碎片，其中碎片收集装置包含多个叶片，第一端支撑件和第二端支撑件分别支撑这些叶片的两端，且这些叶片中的至少一个的表面涂覆Ru层。附图说明通过以下的详述配合所附附图，可以更加理解本专利技术实施例的观点。须强调的是，根据业界标准惯例，各个不同部件(feature)未必按照比例绘制且仅用于图示说明的目的。事实上，为了讨论的明确易懂，各种部件的尺寸可随意增加或减少。图1是根据本专利技术的一些实施例所建构的具有激光引发等离子体(LPP)极紫外光(EUV)辐射源的极紫外光(EUV)微影系统的示意图。图2A是根据本专利技术的一些实施例的用于极紫外光(EUV)辐射源的碎片收集机构的前视示意图。图2B是根据本专利技术的一些实施例的用于极紫外光(EUV)辐射源的碎片收集机构的侧视示意图。图2C是根据本专利技术的一些实施例的用于极紫外光(EUV)辐射源的叶片的局部图片。图3A和3B是根据本专利技术的一些实施例说明具有催化剂层的叶片的剖面示意图。图4A至4D是根据本专利技术的一些实施例说明叶片的各种表面纹理。【符号说明】100～极紫外光辐射源设备；105～腔室；110～激光引发等离子体收集器；115～目标液滴产生器；120～液滴接收器；130～第一缓冲气体供应；140～气体出口；150～碎片收集机构；151～截头圆锥支撑框架；152～叶片；153～第一端支撑件；154～第二端支撑件；158～催化剂层；160～输出端口；200～曝光机；300～激发激光源设备；310～激光产生器；320～激光引导光学组件；330～聚焦设备；A1～光轴；BF～底楼层；EUV～极紫外光辐射；DP～目标液滴；DP1、DP2～减震器；LR1～激光；LR2～激发激光；PP1、PP2～底座板；MF～主楼层；ZE～激发区。具体实施方式本专利技术实施例提供许多不同的实施例或范例，用于实施本专利技术实施例的不同部件。以下描述了组件和配置的具体范例，以简化本专利技术实施例。当然，这些仅仅是范例，并非意图限制本专利技术实施例。举例而言，叙述中若提及第一部件形成于第二部件之上，可能包含形成第一和第二部件直接接触的实施例，也可能包含形成额外的部件于第一和第二部件之间，使得第一和第二部件不会直接接触的实施例。另外，本专利技术实施例可能在许多范例中重复参照的标号及/或字母。这些重复的目的是为了简化和清楚，其本身并非用于表示各种实施例及/或所讨论的配置之间的关系。再者，在以下叙述中可使用空间上相关措辞，例如「在……之下」、「在……下方」、「下方的」、「在……上方」、「上方的」和其他类似的用语，以便描述一元件或部件与其他元件或其他部件之间如图示说明的关系。此空间相关措辞除了包含附图所描绘的方位，还包含装置在使用或操作中的不同方位。装置可以朝其他方位定位(旋转90度或在其他方位)，且在此使用的空间相关描述可依此相应地解读。此外，「由…制成」的用语可意味「包括」或「由……组成」。大体上，本专利技术实施例有关于极紫外光(EUV)微影系统及其方法，特别是有关于用于减轻在激光引发等离子体(LPP)极紫外光(EUV)辐射源中的收集器上的污染的设备和方法。此收集器亦称作激光引发等离子体(LPP)收集器或极紫外光(EUV)收集器，并且是激光引发等离子体极紫外光(LPPEUV)辐射源的一个重要组件。此收集器收集且反射极紫外光(EUV)辐射，并且有助于整体极紫外光(EUV)的转换效率。然而，由于颗粒、离子、辐射和碎片沉积物的影响，导致收集器受到损伤和劣化。特别是，锡(Sn)的碎片是对于极紫外光(EUV)收集器的污染源之一。本专利技术实施例的目的之一是减少在激光引发等离子体(LPP)收集器上的碎片沉积物，从而增加其可用寿命。图1是极紫外光(EUV)微影系统的示意性和图解式的示意图。极紫外光微影系统包含极紫外光辐射源设备100来产生极紫外光，曝光机200例如扫描器(scanner)，以及激发激光源设备300。如图1所示，在一些实施例中，极紫外光辐射源设备100和曝光机200安装在洁净室(cleanroom)的主楼层(mainfloor)MF上，同时激发激光源设备300安装在主楼层MF下方的底楼层(basefloor)BF。通过减震器(damper)DP1和DP2将极紫外光辐射源设备100和曝光机200中的每一个分别放置在底座板PP1和PP2上。极紫外光辐射源设备100与曝光机200通过包含聚焦单元的耦合机构彼此耦接。光微影系统是极紫外光微影系统，其设计为通过极紫外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于极紫外光辐射源设备的碎片收集装置，包括：一第一端支撑件；一第二端支撑件；以及多个叶片，该些叶片的端部分别由该第一端支撑件和该第二端支撑件支撑，其中该些叶片中的至少一个的表面涂覆将氢化物还原的一催化剂层。

【技术特征摘要】
2017.06.27 US 62/525,570;2017.11.01 US 15/801,2251.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：简上杰，钟仁阳，吴尚颖，傅中其，陈立锐，郑博中，陈家桢，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71