存储器结构制造技术

本发明专利技术涉及一种存储器结构，所述存储器结构包括：衬底层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的第一表面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的第二表面；存储层，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层；所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的P型掺杂阱。所述存储器的性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
存储器结构
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种存储器结构。
技术介绍
近年来，闪存(FlashMemory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(BitDensity)，同时减少位成本(BitCost)，三维的闪存存储器(3DNAND)技术得到了迅速发展。3DNAND的存储阵列形成于衬底表面，所述衬底通常为P型衬底，所述衬底内还形成有掺杂阱，包括N型掺杂阱和位于所述N型掺杂阱内的P型掺杂阱。所述掺杂阱与衬底构成PNP型掺杂结构。在对3DNAND存储器进行擦除操作时，需要向所述掺杂阱提供高压。而所述掺杂阱容易与衬底之间以及相邻掺杂阱之间产生漏电等问题，影响存储器的性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种存储器结构，能够提高存储器的性能。本专利技术提供一种存储器结构，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的第一表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的第一表面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的第二表面；存储层，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层；所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的P型掺杂阱。

【技术特征摘要】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的第一表面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的第二表面；存储层，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层；所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的P型掺杂阱。2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述屏蔽层为金属层或N型重掺杂层。3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述屏蔽层与所述衬底层的第二表面共面。4.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述P型掺杂阱包括P型重掺杂区和位于所述P型重掺杂区内的P型掺杂区。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏志良，陈俊，鲍琨，董金文，华文宇，靳磊，江宁，刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42