存储器结构制造技术

本发明专利技术涉及一种存储器结构，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的正面和背面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的正面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的背面，所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的N型掺杂阱；存储层，所述存储层位于所述衬底层的正面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层。所述存储器的性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
存储器结构
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种存储器结构。
技术介绍
近年来，闪存(FlashMemory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(BitDensity)，同时减少位成本(BitCost)，三维的闪存存储器(3DNAND)技术得到了迅速发展。3DNAND的存储阵列形成于衬底表面，所述衬底通常为P型衬底，所述衬底内还形成有掺杂阱，包括N型掺杂阱和位于所述N型掺杂阱内的P型掺杂阱。所述掺杂阱与衬底构成PNP型掺杂结构。在对3DNAND存储器进行擦除操作时，需要向所述掺杂阱提供高压。而所述掺杂阱容易与衬底之间以及相邻掺杂阱之间产生漏电等问题，影响存储器的性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种存储器结构，能够提高存储器的性能。本专利技术提供一种存储器结构，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的正面和背面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的正面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的背面，所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的N型掺杂阱；存储层，所述存储层位于所述衬底层的正面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层。可选的，所述屏蔽层与所述衬底层的背面共面。可选的，所述屏蔽层为金属层或N型重掺杂层。可选的，所述金属层的材料包括铜、钨、银、金或铝中的至少一种。可选的，所述N型掺杂阱外围还具有N型重掺杂区。可选的，所述存储层内形成有接触部，所述接触部连接至所述N型重掺杂区。可选的，所述隔离结构包括贯穿所述衬底层的隔离沟槽和填充满所述隔离沟槽的隔离材料。可选的，还包括：位于所述衬底层背面的介质层，所述隔离结构还贯穿所述介质层。可选的，所述存储层内形成有存储堆叠结构以及贯穿所述存储堆叠结构的若干沟道孔结构，所述沟道孔结构底部位于所述N型掺杂阱表面。本专利技术的存储器结构的衬底层内的导电区域周围形成有隔离结构，作为导电区域与外围衬底层之间的物理隔离，从而避免所述导电区域向外漏电；并且通过所述导电区域底部的屏蔽层，屏蔽导电区域下方的电荷，提高存储器的擦除操作的擦除效率。进一步的，所述屏蔽层上方设置有N型掺杂阱，通过对N型掺杂阱施加电压对存储器进行擦除操作，提高存储器的擦除操作的擦除效率。附图说明图1至图4为本专利技术一具体实施方式的存储器结构的形成过程的结构示意图；图5至图9为本专利技术一具体实施方式的存储器结构的形成过程的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术提供的存储器结构及其形成方法的具体实施方式做详细说明。请参考图1至图4为本专利技术一具体实施方式的存储器结构的形成过程的结构示意图。请参考图1，提供衬底层100，所述衬底层100具有相对的正面11和背面12；在所述衬底层100内形成导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层100的正面11，所述导电区域的底部朝向所述衬底层100的背面12。所述衬底层100为半导体材料层，可以为单晶硅晶圆、包括单晶硅晶圆以及晶圆表面的半导体外延层、或者绝缘体上硅衬底等。本具体实施方式中，所述衬底层100包括单晶硅晶圆以及位于所述单晶硅衬底表面的单晶硅外延层，所述单晶硅外延层表面为正面11，所述单晶硅晶圆另一侧表面为背面12。所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层101，以及位于所述屏蔽层101上方的N型掺杂阱102。该具体实施方式中，所述屏蔽层101为N型重掺杂层。并且，所述N型掺杂阱102外围还设置有N型重掺杂区。该具体实施方式中，所述N型掺杂阱102外围的N型重掺杂区为所述屏蔽层101的一部分，通过N型重掺杂形成。该具体实施方式中，所述导电区域的形成方法包括：对所述衬底层101自正面11进行N型重掺杂，形成N型重掺杂层作为屏蔽层101，后续再进行N型掺杂，在所述屏蔽层101上方形成N型掺杂阱102。所述屏蔽层101内的N型掺杂离子的浓度较高，可以达到1E10cm-3～1E19cm-3，使得所述屏蔽层101具有较高的电子浓度，避免后续底部隔离区域外的交流信号穿透并影响衬底层上方包围的区域。所述N型掺杂阱102内的掺杂离子浓度为1E10cm-3～1E19cm-3。该具体实施方式中，该步骤处，形成的所述屏蔽层101与衬底层100的背面12之间具有一定距离；后续可以通过对第二衬底层12减薄，使得所述屏蔽层101与所述衬底层100的背面12共面。请参考图3，在所述衬底层100的正面11上形成存储层200。所述存储层200包括绝缘层以及形成于所述绝缘层内的存储单元以及连接所述存储单元的存储电路。在一个具体实施方式中，所述存储层200内形成有位于所述衬底层100正面11上的存储堆叠结构，以及贯穿所述存储堆叠结构的沟道孔结构203，所述沟道孔结构203与存储堆叠结构构成存储串。图3中仅示出了所述沟道孔结构203。所述沟道孔结构203底部位于所述N型掺杂阱102表面。所述存储层200内还形成有接触部201。所述接触部201连接至N型重掺杂的屏蔽层101表面。在对存储器进行擦除操作时，通过所述接触部201对所述屏蔽层101、N型掺杂阱102施加电压，同时集合沟道孔结构203的栅电压控制在沟道孔结构203内部产生强电场从而产生空穴-电子对，从而将所述沟道孔结构203内存储的电子去除，从而实现擦除操作。请参考图4，在所述衬底层100的背面12上形成介质层300。所述介质层300作为覆盖所述衬底层100背面12的钝化层，用于保护所述衬底层100的背面12。所述介质层300的材料可以为TEOS、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅等绝缘介质材料。所述介质层300可以为单层结构，也可以为多层堆叠结构。可以通过化学气相沉积工艺、旋涂工艺、原子层沉积工艺等各种沉积工艺形成所述介质层300。该具体实施方式中，在形成所述介质层300之前，还包括对所述衬底层100的背面12进行减薄，直至暴露出屏蔽层101的底部，使得所述屏蔽层101与所述背面12共面，以减小所述衬底层100的厚度。请参考图5，形成贯穿所述衬底层100和介质层300的隔离结构400，所述隔离结构400位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构400外围的衬底层100。所述隔离结构400的形成方法包括：在所述介质层300和衬底层100中，形成贯穿所述介质层300和衬底层100的隔离沟槽，所述隔离沟槽可以为单个或两个以上套嵌设置的隔离环，包围所述导电区域设置；在所述隔离沟槽内填充隔离材料，形成隔离结构400。所述隔离材料可以为氧化硅、氮氧化硅或氮化硅等绝缘介质材料。可以采用化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺等在所述隔离沟槽内填充所述隔离材料。形成所述隔离结构400的过程还包括进行平坦化等处理，以去除所述介质层300表面沉积的隔离材料。在其他具体实施方式中，所述隔离结构400也可以仅位于所述衬底层100内，具体的，在形成所述介质层300之前，在衬底层100内形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的正面和背面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的正面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的背面，所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的N型掺杂阱；存储层，所述存储层位于所述衬底层的正面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层。

【技术特征摘要】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的正面和背面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的正面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的背面，所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的N型掺杂阱；存储层，所述存储层位于所述衬底层的正面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层。2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述屏蔽层与所述衬底层的背面共面。3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述屏蔽层为金属层或N型重掺杂层。4.根据权利要求3所述的存储器结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏志良，陈俊，鲍琨，董金文，华文宇，靳磊，江宁，刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42