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文档序号:19832023
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本发明涉及一种存储器结构,所述存储器结构包括:衬底层,所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面,所述衬底层内形成有导电区域,所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的第一表面,所述导电区域的底部朝向所述衬底层的第二表面;存储层,所述存储层位于所述衬底...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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