晶圆翘曲程度测量方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种晶圆翘曲程度的测量装置和方法，属于晶圆检测技术领域。所述测量装置包括探针组，包括分别位于晶圆上方的上表面探针以及位于晶圆下方的下表面探针，用于以与晶圆的基准面平行的移动方向沿着晶圆的直径对晶圆的上下表面进行移动扫描；承载机构，用于承载晶圆，其上表面与晶圆的下表面接触；以及转动机构，位于晶圆上方，并可对晶圆进行转动。所述方案提高了晶圆检测的测量精度，降低了测量误差。

【技术实现步骤摘要】
晶圆翘曲程度测量方法及装置
本专利技术涉及晶圆检测
，特别是涉及一种晶圆翘曲程度测量方法及装置。
技术介绍
在芯片制造中，基底材料一般为晶圆(硅片)，当前主流的晶圆尺寸为直径300mm。在3DNAND存储芯片的制造工艺中，晶圆表面需要堆叠沉积数十上百层薄膜，薄膜与薄膜间的应力失衡导致晶圆会出现不同程度的翘曲。晶圆翘曲将直接造成不同薄膜间的图案套准精度降低，无法形成有效的器件功能，因此需要对晶圆的翘曲度进行检测。现有晶圆翘曲测量方法为基于激光对焦测量方法，然而这种方法存在以下缺点：晶圆表面存在图形时无法测量；激光对焦测距精度不高，晶圆翘曲形变较小时无法测量；晶圆沉积薄膜较厚且沉积不均匀时，容易引起测量误差。
技术实现思路
为克服现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种晶圆翘曲程度测量方法及装置，通过上下原子力探针同步测量晶圆上下表面的翘曲程度，极大降低了测量误差并提高了测量精度。为实现以上目的，本专利技术提出一种晶圆翘曲程度的测量装置，包括探针组，包括分别位于晶圆上方的上表面探针、位于晶圆下方的下表面探针，用于以与晶圆的基准面平行的移动方向沿着晶圆的直径对晶圆的上下表面进行移动本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆翘曲程度的测量装置，其特征在于，包括：探针组，包括分别位于晶圆上方的上表面探针以及位于晶圆下方的下表面探针，用于以与晶圆的基准面平行的移动方向沿着晶圆的直径对晶圆的上下表面进行移动扫描；承载机构，用于承载晶圆，其上表面与晶圆的下表面接触；以及转动机构，位于晶圆上方，并可对晶圆进行转动。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆翘曲程度的测量装置，其特征在于，包括：探针组，包括分别位于晶圆上方的上表面探针以及位于晶圆下方的下表面探针，用于以与晶圆的基准面平行的移动方向沿着晶圆的直径对晶圆的上下表面进行移动扫描；承载机构，用于承载晶圆，其上表面与晶圆的下表面接触；以及转动机构，位于晶圆上方，并可对晶圆进行转动。2.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于：所述基准面与承载机构的上表面的距离为晶圆厚度的一半，所述上表面探针和下表面探针始终处于基准面的上下对称位置。3.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于：所述承载机构具有通槽，当晶圆放置在承载机构之上时，所述通槽与晶圆的直径重合，所述下表面探针可通过通槽并沿着通槽对晶圆的下表面进行探测。4.根据权利要求1或2或3所述的测量装置，其特征在于：所述转动机构包括竖直的转轴和连接于转轴下方的水平吸盘，所述转动机构可向下运动使其吸盘吸附晶圆，然后所述转动机构的转轴转动使得所述晶圆绕着所述晶圆的中心旋转。5.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于：所述基准面是一个水平面。6.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于：所述测量装置还包括驱动机构，所述驱动机构包括第一驱动机构和第二驱动机构，其中第一驱动机构用于驱动上表面探针和下表面探针沿着晶圆的直径对晶圆的上下表面进行移动扫描；第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈子琪，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42