The embodiment of the utility model relates to the field of semiconductor devices, and discloses a diode comprising a PN junction with a P contact area and a N contact area and a passivation structure formed on the PN junction, the passivation structure comprising a first dielectric layer, a second dielectric layer, a silver electrode layer and a polyimide layer, and the first dielectric layer formed therein. The PN junction and surrounds the P contact area; the second dielectric layer comprises a silicon dioxide layer and a silicon nitride layer formed on the first dielectric layer and extended to the P contact area of the covering part, the silicon nitride layer formed on the silicon dioxide layer and extended to the P contact area of the covering part; The electrode layer is formed in the P contact area and extends to the silicon nitride layer of the covering part; the polyimide layer is formed in the silicon nitride layer and extends to the silver electrode layer of the covering part. The diode provided by the utility model has high reliability.
【技术实现步骤摘要】
二极管
本技术实施例涉及半导体器件领域,特别涉及一种二极管。
技术介绍
二极管是电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,其核心是具有单向导电性的PN结。目前最普遍的二极管大多是使用半导体材料,PN结两端各引出一个电极并加上管壳,就能形成一个半导体二极管。为保证PN结的稳定性及可靠性,在利用半导体制造工艺完成二极管的PN结后,一般会在PN结表面进行钝化,避免PN结收到外界的玷污或水汽的影响。随着电子工业的飞速发展,对器件的可靠性和长期稳定性的要求越来越高。由于功率器件均长时间工作在大电流、高反压、高温等环境下,表面钝化的好坏会直接影响二极管的质量,若表面钝化处理不好,则二极管在后工序封装后较容易受到水汽、金属离子等玷污,使二极管电学性能发生退化,导致二极管漏电流变大、反向击穿曲线蠕动漂移,使二极管的电学性能发生退化。本技术的专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题:现有技术中的二极管100如图1所示,一般在电极层上进行氮化硅材料钝化。电极层的金属表面,特别是银表面钝化难度较大,无论是进行氮化硅材料钝化还是氮氧化硅材料钝化,都存在刻蚀后银表面受腐蚀的现象,影响焊接质量;或者在较厚的银电极层上的钝化时,氮化硅或者氮氧化硅容易断裂或脱落,导致二极管表面钝化层由于应力大、台阶高而断裂,影响二极管的可靠性。
技术实现思路
本技术实施方式的目的在于提供一种可靠性高的二极管。为解决上述技术问题,本技术的实施方式提供了一种二极管,包括具有P接触区和N接触区的PN结及形成在所述PN结上的钝化结构,所述钝化结构包括:第一介质层、第二介质层、银电极层及聚酰亚胺 ...
【技术保护点】
1.一种二极管,包括具有P接触区和N接触区的PN结及形成在所述PN结上的钝化结构,其特征在于,所述钝化结构包括:第一介质层、第二介质层、银电极层及聚酰亚胺层;所述第一介质层形成在所述PN结上并包围所述P接触区;所述第二介质层包括二氧化硅层和氮化硅层,所述二氧化硅层形成在所述第一介质层上并延伸至覆盖部分所述P接触区,所述氮化硅层形成在所述二氧化硅层上并延伸至覆盖部分所述P接触区;所述银电极层形成在所述P接触区上并延伸至覆盖部分所述氮化硅层;所述聚酰亚胺层形成在所述氮化硅层上并延伸至覆盖部分所述银电极层。
【技术特征摘要】
1.一种二极管,包括具有P接触区和N接触区的PN结及形成在所述PN结上的钝化结构,其特征在于,所述钝化结构包括:第一介质层、第二介质层、银电极层及聚酰亚胺层;所述第一介质层形成在所述PN结上并包围所述P接触区;所述第二介质层包括二氧化硅层和氮化硅层,所述二氧化硅层形成在所述第一介质层上并延伸至覆盖部分所述P接触区,所述氮化硅层形成在所述二氧化硅层上并延伸至覆盖部分所述P接触区;所述银电极层形成在所述P接触区上并延伸至覆盖部分所述氮化硅层;所述聚酰亚胺层形成在所述氮化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛云峰,刘广海,
申请(专利权)人:深圳吉华微特电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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