抗单粒子烧毁高压快恢复二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种抗单粒子烧毁高压快恢复二极管及其制造方法，快恢复二极管包括N型高阻层、N型缓冲层、氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层、氮化硅淀积层、正面电极金属层和背面电极金属层，所述N型高阻层位于N型缓冲层上方，所述氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层和氮化硅淀积层依次层叠于N型高阻层上方；正面电极金属层下端位于引线孔中，上端凸出于引线孔外；所述背面电极金属层位于N型缓冲层下表面上。因此，通过在传统高压快恢复二极管的基础上，于材料片背面形成极宽的浓度渐变缓冲层，提升器件的雪崩击穿耐量；并通过终端场板场限环结构，搭配TEOS+氮化硅的复合钝化设计，有效的提升了芯片终端效率，并增加器件终端可靠性。并增加器件终端可靠性。并增加器件终端可靠性。

【技术实现步骤摘要】
抗单粒子烧毁高压快恢复二极管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及二极管芯片领域技术，尤其是指一种抗单粒子烧毁高压快恢复二极管及其制造方法。

技术介绍

[0002]快恢复二极管芯片在电路中起到整流、斩波、旁路等作用，具有导通压降低、反向恢复时间短、可靠性高等特点，广泛应用在新能源汽车、风光电逆变、智能电网和空间探测等领域。从地理空间分布角度，又可以应用在陆地、海洋、空间领域，尤其是在陆地上的高原地区和空间领域，其工作环境不可避免的受到宇宙粒子辐射的影响。因宇宙粒子辐射的因素，器件性能会产生退化，严重时甚至导致器件烧毁。造成芯片烧毁的原因有多种，其中一种比较严重的因素是单粒子烧毁效应。单粒子烧毁效应产生的机理是单个宇宙射线粒子入射到反向截止状态下的芯片内部，由于宇宙射线粒子携带的能量、动量巨大，沿入射路径与半导体材料内部原子发生碰撞，形成大量的电子空穴对，这些电子空穴对在反向电场的作用下电子向阴极漂移、空穴向阳极漂移，这些电子空穴对在电场的作用下会继续与半导体材料内部原子发生碰撞，最终因为雪崩碰撞电离形成巨大的反向电流，器件局部区域在反向高压和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗单粒子烧毁高压快恢复二极管，其特征在于：包括有N型高阻层、N型缓冲层、氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层、氮化硅淀积层、正面电极金属层和背面电极金属层，所述N型高阻层位于N型缓冲层上方，所述氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层和氮化硅淀积层依次层叠于N型高阻层上方；所述氧化层上形成有多个终端分压环；所述N型高阻层中形成有多个主结；所述氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层和氮化硅淀积层上竖向凹设有引线孔；正面电极金属层下端位于所述引线孔中，上端凸出于引线孔外，且正面电极金属层上端两侧延伸覆盖于氮化硅淀积层上方；所述背面电极金属层位于N型缓冲层下表面上。2.根据权利要求1所述的抗单粒子烧毁高压快恢复二极管，其特征在于：所述N型缓冲层为宽度为100μm、浓度由5E19到7E13缓变的结构。3.根据权利要求1所述的抗单粒子烧毁高压快恢复二极管，其特征在于：所述主结形成于相邻两终端分压环之间下方。4.根据权利要求3所述的抗单粒子烧毁高压快恢复二极管，其特征在于：所述多晶场板层分段式分布于所述氧化层上表面，每段多晶场板层下端渗透进入相邻两终端分压环之间，并与所述主结和两侧的终端分压环相接触。5.根据权利要求1所述的抗单粒子烧毁高压快恢复二极管，其特征在于：所述TEOS淀积层长度为所述氮化硅淀积层长度为所述氮化硅淀积层长度为6.根据权利要求1所述的抗单...

【专利技术属性】
技术研发人员：李环伟，田旭，宋吉昌，贾国，仇锐，
申请(专利权)人：深圳吉华微特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：