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本发明公开一种抗单粒子烧毁高压快恢复二极管及其制造方法，快恢复二极管包括N型高阻层、N型缓冲层、氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层、氮化硅淀积层、正面电极金属层和背面电极金属层，所述N型高阻层位于N型缓冲层上方，所述氧化层、多晶场板层、TE...
该专利属于深圳吉华微特电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳吉华微特电子有限公司授权不得商用。

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