本实用新型公开一种升压斩波器，涉及半导体功率器件技术领域，该种升压斩波器包括壳体、电极、第一芯片、第二芯片、第三芯片、热敏电阻、绝缘基板、底板和上盖，该底板设置于壳体内；该电极设置于壳体上并向上延伸至上盖的上方；该第一芯片和第二芯片均通...

本实用新型公开一种MOSFET封装结构，涉及半导体分立器件技术领域，该种MOSFET封装结构包括管壳本体、载片板、第一芯片、第二芯片和导电件，该第一芯片和第二芯片竖向的设置于载片板上；该导电件与管壳本体之间设置有用于起绝缘作用的导热绝缘...

本实用新型公开一种应用于

本发明公开一种无曲率绝缘胶基板及其加工工艺，该基板包括金属基板层、绝缘胶层和正面金属层，所述绝缘胶层涂覆于金属基板层上表面，所述正面金属层粘接于绝缘胶层上表面，于正面金属层上表面加工有多条线路，相邻线路之间具有蚀刻槽间隔，每条线路分别具...

本发明公开一种抗单粒子烧毁高压快恢复二极管及其制造方法，快恢复二极管包括N型高阻层、N型缓冲层、氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层、氮化硅淀积层、正面电极金属层和背面电极金属层，所述N型高阻层位于N型缓冲层上方，所述氧化层、多晶场板层、...

本发明公开一种大功率智能IGBT模块及其加工工艺，模块包括外壳、底板、驱动板、芯片、绝缘衬底、粘接胶、功率端子和信号端子，所述外壳具有容置腔，所述底板固定于外壳底部，驱动板位于底板上方，于底板和驱动板之间填充有绝缘涂覆胶；所述芯片位于驱...

本申请公开了一种沟槽型双栅结构半导体器件制造方法，采用沟槽结构和双栅结构相结合的方式，在纵向结构上，实现两个驱动栅极，使用多晶硅作为电极。在器件正向导通时，器件实际为PNP晶体管；在器件反向截止时，器件实际为NPN晶体管。本申请技术方案...

本申请公开了一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法，包括如下步骤：进行沟槽刻蚀，所述沟槽设置一拐点，所述拐点下部用于容纳多晶，所述拐点上部的沟槽宽度大于所述拐点下部的沟槽宽度；对沟槽依次进行氧化和多晶沉淀，然后进行退火处理；进行多晶刻蚀，...

本申请公开了一种降低MOSFET器件导通电阻的制造方法，包括如下步骤：形成MOSFET接触孔的基本形貌；采用第一功率的射频对MOSFET接触孔进行干法刻蚀；采用第二功率的射频对MOSFET接触孔中残留的氧化硅进行过刻；采用低浓度硝酸和氢...

本发明公开了一种抗单粒子效应的加固驱动电路，包括上下两个功率管、用于分别驱动上下功率管的驱动电路；每一功率管设置有多个驱动电路，在驱动电路与功率管之间还设置有一错误反馈逻辑电路。本发明通过上下两个功率管的驱动信号IN1，IN2分别连接三...

本发明公开了一种无辅助绕组原边反馈采样电路、方法及其PWM驱动器，采样电路包括用于采样功率管漏极电压的第一电阻分压采样电路、用于采样输入电压的第二电阻分压采样电路、用于将功率管漏极电压转换为电流值的第一电压转电流电路、以及用于将输入电压...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种集成式IGBT器件，包括外壳、厚膜基板、TVS二极管、发射极信号端、栅极信号端及IGBT芯片，所述厚膜基板与IGBT芯片设置在外壳内，所述TVS二极管、发射极信号端及栅极信号端设置在厚膜基板上，...

本实用新型公开一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，包括：金属底座、设置在所述金属底座上的导电板、设置在所述金属底座上侧的固定组件；所述导电板上设置有若干导线、测试位，所述导电板的两端上均设置有一豁口；所述豁口与所述测试...

本实用新型涉及IGBT功率模块试验技术领域，尤其涉及一种IGBT功率模块反偏试验组件，包括支撑架、IGBT模块固定台、接线端子排及散热器，所述散热器设置在支撑架上并与支撑架连接，所述IGBT模块固定台固定设置在散热器上，所述接线端子排固...

本发明涉及功率半导体领域，尤其涉及一种抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构，包括源极金属、漏极金属、衬底、缓冲层、N柱、P柱、连接区组、栅极组、隔离氧化层及栅氧化层，所述衬底一端与漏极金属接触，另一端与缓冲层接触，所述P柱设置有两个，所述N...

本实用新型公开一种电源MOS管散热片，包括：支撑座，分别安装在所述支撑座上侧面、下侧面上的散热本体、若干固定脚；所述的若干固定脚间隔设置在所述支撑座下侧面的一端，所述散热本体上设置有沟槽滑道。本实用新型通过将各个固定脚间隔设置，可方便电...

本实用新型公开一种提高抗短路能力的沟槽栅IGBT结构，包括：设置于P

本实用新型公开一种半导体器件防潮结构，包括：衬底和形成于所述衬底表面的阱，所述阱内形成所需的器件，所述器件的上表面低于所述阱的上表面，所述器件周边的衬底形成一圈隔离区。本实用新型的半导体器件防潮结构，将器件形成于阱内，而阱周围的衬底形成...

本实用新型公开一种具有电流检测能力的功率MOSFET，包括：基层，设置在所述基层上的栅极、源区、漏极；所述源区包括：大源区，与所述大源区间隔设置的电流检测区；所述电流检测区上设置有金属引出端，所述大源区的有效面积为S1，所述电流检测区的...

本发明涉及智能功率模块技术领域，尤其涉及一种大功率智能功率模块反偏试验方法，包括如下步骤：步骤S 1：对大功率智能功率模块的上、下桥芯片同时进行反偏试验，或对上、下桥芯片分别进行反偏试验；步骤S2：将大功率智能功率模块与反偏板连接；步骤...